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韩国威

作品数：42 被引量：47H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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宁瑾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 牺牲层 锚点 MEMS 4H-SIC
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司朝伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锚点 电极 压电层 MEMS 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 电极 相变存储器 谐振器 纳米尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 微装配 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨健
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MEMS陀螺仪 压电材料 压电 旋涂 检测电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张萌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 寄生电容 压电层 盖板 检测电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：脉冲发生器 相位噪声 变增益 I/Q 复数滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
童鑫
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁强计 传感器误差 控制功能 无线 切换键
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟卫威
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：亚微米 RFMEMS RF_MEMS 滤波器 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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