宁瑾
- 作品数：72 被引量：68H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程文化科学更多>>
- 应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构
- 一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构，包括：一耦合梁；一第一支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的一侧；一第二支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧；该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小，结构...
- 司朝伟韩国威宁瑾赵永梅杨富华
- 文献传递
- 温度控制芯片、其制备方法及包含其的温度控制芯片系统
- 本发明公开了一种基于FPGA实现PID调节的温度控制芯片系统，包括温度控制芯片、四线式放大电路、A/D采样模块、FPGA、开关电源，PWM调节电子开关。本发明利用FPGA采集一路或同时采集多路的温度传感信号，通过PID控...
- 节俊尧魏清泉刘文文宁瑾俞育德
- 文献传递
- 多孔硅在电容式微传声器制备中的应用研究
- 2003年
- 多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料。探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能。提出可以采用氧化多孔硅材料作牺牲层制备微传声器的空气隙的工艺方法,有效地解决其他牺牲层材料与振膜应力不匹配以及释放时间过长的问题,使微传声器的制备成品率得到提高。同时提出运用多孔硅牺牲层工艺制备微传声器的背极板声学孔,可以获得厚度达10μm以上的单晶硅作背极板,背极板刚性好,不会随着外加声压振动,有效地提高了微传声器的性能。
- 宁瑾刘忠立刘焕章葛永才
- 关键词：多孔硅牺牲层电容式微传声器
- 基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀被引量：2
- 2020年
- 提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化学气相沉积(PECVD)方式生长氧化硅掩膜高温对器件制备造成的影响。对不同的ITO薄膜图形化方式进行了研究,结果表明垂直或正锥形台阶的光刻胶剥离工艺制备的ITO薄膜边缘光滑,尺寸误差小,是实现ITO薄膜图形化的理想方式。进一步研究了基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀能力,在硅刻蚀深度达到150μm时,掩膜只消耗了5.66 nm,刻蚀选择比高达26500∶1,没有发现微掩膜效应。因此利用ITO掩膜实现键合片的深硅刻蚀,掩膜的生长和图形化都在常温下进行,特别适合基于硅玻璃(SOG)键合刻蚀工艺的MEMS器件制备。
- 蔡萌司朝伟韩国威宁瑾杨富华
- 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路
- 一种基于差分方法的MEMS器件信号检测电路，包括：一信号源；一跟随器，该跟随器的输入端与信号源的输出端连接，以跟随信号源的变化；一第一器件夹具，该第一器件夹具的一端与跟随器的输出端连接，以提供一路与信号源同相的激励信号；...
- 韩国威宁瑾孙国胜赵永梅杨富华
- 文献传递
- 立方相SiC MEMS器件研究进展被引量：2
- 2010年
- 主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视。随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化。
- 杨挺孙国胜吴海雷闫果果宁瑾赵永梅刘兴昉罗木昌王雷赵万顺曾一平
- 关键词：MEMS器件基本结构可靠性
- 4H-SiC MESFET器件的制备与性能
- 2007年
- 在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80/μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电流Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/mm,fT=3.5GHz,fmax=7GHz.
- 宁瑾张杨刘忠立
- 关键词：4H-SICMESFETS参数
- 利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法
- 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法，包括以下步骤：1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属；2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，制作图形；3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀...
- 杨健司朝伟韩国威宁瑾赵永梅梁秀琴
- 文献传递
- 基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制被引量：3
- 2012年
- 采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。
- 康中波韩国威司朝伟钟卫威赵永梅宁瑾
- 关键词：滤波器碳化硅
- 用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器
- 提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400~10kHz之间,频率响应较为平坦,可以...
- 宁瑾刘焕章葛永才刘忠立
- 关键词：多孔硅牺牲层聚酰亚胺
- 文献传递
