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司朝伟

作品数:32 被引量:40H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 25篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇电极
  • 6篇压电
  • 6篇锚点
  • 5篇电路
  • 5篇压电层
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇谐振器
  • 4篇刻蚀
  • 4篇MEMS
  • 4篇衬底
  • 3篇振荡器
  • 3篇陀螺
  • 3篇谐振
  • 3篇梁结构
  • 3篇滤波器
  • 3篇脉冲发生器
  • 3篇面内
  • 3篇键合

机构

  • 32篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 32篇司朝伟
  • 29篇韩国威
  • 28篇宁瑾
  • 20篇杨富华
  • 15篇赵永梅
  • 6篇王晓东
  • 3篇刘晓东
  • 3篇杨健
  • 3篇张萌
  • 3篇钟卫威
  • 3篇苏言
  • 3篇刘楠
  • 3篇童鑫
  • 2篇梁秀琴
  • 2篇杨帆
  • 2篇康中波
  • 1篇张明亮
  • 1篇刘雯
  • 1篇蔡萌
  • 1篇马静

传媒

  • 6篇微纳电子技术
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 4篇2020
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制被引量:3
2012年
采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。
康中波韩国威司朝伟钟卫威赵永梅宁瑾
关键词:滤波器碳化硅
应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构
一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构,包括:一耦合梁;一第一支撑梁,其一端纵向固定于耦合梁上的一侧;一第二支撑梁,其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧;该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小,结构...
司朝伟韩国威宁瑾赵永梅杨富华
文献传递
高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术
2023年
针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制备倾角的衬底支架,对BOSCH工艺参数进行了调整,最终获得了倾角为30°、深度超过25μm、深宽比高达7.9∶1的倾斜沟槽。结果表明利用法拉第笼和倾斜衬底支架,采用深硅刻蚀工艺可以制备高深宽比的倾斜沟槽,而且沟槽角度可以通过加工不同倾角的支架实现。结合法拉第笼和倾斜衬底支架进行等离子体刻蚀可为其他倾斜结构的制备工艺提供参考。
刘庆刘雯司朝伟司朝伟杨富华黄亚军
关键词:高深宽比法拉第笼
基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀被引量:2
2020年
提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化学气相沉积(PECVD)方式生长氧化硅掩膜高温对器件制备造成的影响。对不同的ITO薄膜图形化方式进行了研究,结果表明垂直或正锥形台阶的光刻胶剥离工艺制备的ITO薄膜边缘光滑,尺寸误差小,是实现ITO薄膜图形化的理想方式。进一步研究了基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀能力,在硅刻蚀深度达到150μm时,掩膜只消耗了5.66 nm,刻蚀选择比高达26500∶1,没有发现微掩膜效应。因此利用ITO掩膜实现键合片的深硅刻蚀,掩膜的生长和图形化都在常温下进行,特别适合基于硅玻璃(SOG)键合刻蚀工艺的MEMS器件制备。
蔡萌司朝伟韩国威宁瑾杨富华
基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器
一种基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器,包括:一MEMS谐振器;一低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接;一高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接;一窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连...
司朝伟韩国威宁瑾刘晓东
文献传递
一种实现指向控制功能的无线人机交互设备和方法
本发明提供了一种实现指向控制功能的无线人机交互设备和方法,利用加速度计和磁强计对姿态角估计值修正,因而传感器误差影响小;利用无线传输模块,与智能设备通过无线信号进行连接,无线控制的特点使本发明方便、灵活、在有限距离内都可...
童鑫刘楠苏言韩国威司朝伟宁瑾杨富华
文献传递
氮化铝面内伸缩模态谐振器的研究现状被引量:2
2014年
综述了氮化铝面内伸缩模态的射频MEMS谐振器。氮化铝面内伸缩模态谐振器(contour-mode resonator,CMR)利用了氮化铝薄膜的压电效应,由器件的机械谐振再通过机电转化实现谐振功能,基本结构为电极层-氮化铝层-电极层。当前研究的两种典型的器件结构为方形振子梳齿电极结构和圆盘振子电容式结构。概述了氮化铝CMR的制备工艺,并重点介绍了磁控溅射法生长薄膜和ICP刻蚀等主要工艺环节。分别对氮化铝CMR的谐振频率、品质因子、温度稳定性和动态电阻等主要性能参数进行了理论分析,针对谐振器各参数的提升给出了具体的改进方向,同时讨论了某些性能的提升所带来的负面影响。氮化铝CMR具备面内集成的优点,随着器件频率的提高,将在无线通信领域具有广阔的应用前景。
杨健韩国威司朝伟赵永梅宁瑾
硅微机械陀螺仪温度补偿方法的研究现状被引量:11
2017年
综述了硅微机械陀螺仪温度补偿方法的研究现状。介绍了陀螺仪的基本原理,并分析了陀螺仪的温度特性。分别对温度控制、器件设计和算法补偿三种温度补偿方法进行了原理和结果分析,总结了各种方法的优势与不足。介绍了算法补偿中两种常用的温度误差模型构建方法,算法补偿既符合小体积、低成本的设计理念,又能有效提升陀螺仪的温度稳定性,但复杂的算法需要强大的内存支撑,系统的响应速度亦会受到影响,因此在算法的优化设计方面仍有巨大的研究潜力和空间。随着陀螺仪数字化进程的不断推进,温度误差模型构建的标准化方法以及优化的算法是未来进一步的发展方向。
刘楠苏言童鑫韩国威司朝伟宁瑾
关键词:陀螺仪零偏稳定性温度补偿
电容式微纳超声换能器及其制备方法
本发明公开了一种电容式微纳超声换能器及其制备方法。该电容式微纳超声换能器包括:衬底;凹槽阵列,包括多个阵列式排布的凹槽,该凹槽形成容置空间,设置于衬底的上表面;下电极板,设置于凹槽阵列的容置空间之内;上电极板,设置于凹槽...
张萌韩国威司朝伟宁瑾杨富华
文献传递
采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路
一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路,包括:一MEMS谐振器;一低通滤波器,该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接;一高增益反相器,该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接;一窄脉冲发生器,该窄脉...
司朝伟韩国威宁瑾刘晓东
文献传递
共4页<1234>
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