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赵永梅

作品数:62 被引量:20H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 44篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 6篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 23篇碳化硅
  • 15篇衬底
  • 10篇刻蚀
  • 9篇3C-SIC
  • 8篇硅材料
  • 7篇碳化硅材料
  • 6篇电极
  • 6篇MEMS器件
  • 5篇压电
  • 5篇压电层
  • 5篇谐振器
  • 5篇锚点
  • 5篇硅基
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化铝
  • 4篇微机电系统
  • 4篇微通道
  • 4篇消色差
  • 4篇晶圆
  • 4篇键合

机构

  • 62篇中国科学院
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 62篇赵永梅
  • 35篇孙国胜
  • 34篇刘兴昉
  • 30篇宁瑾
  • 30篇王雷
  • 30篇赵万顺
  • 25篇曾一平
  • 25篇杨富华
  • 22篇李晋闽
  • 17篇韩国威
  • 17篇王晓东
  • 15篇司朝伟
  • 13篇王亮
  • 12篇李家业
  • 12篇杨香
  • 8篇何志
  • 7篇樊中朝
  • 7篇罗木昌
  • 7篇刘胜北
  • 5篇毛旭

传媒

  • 6篇Journa...
  • 5篇微纳电子技术
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇科技纵览
  • 1篇第十届全国M...

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 10篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 7篇2009
  • 8篇2008
  • 7篇2007
  • 2篇2006
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制被引量:3
2012年
采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。
康中波韩国威司朝伟钟卫威赵永梅宁瑾
关键词:滤波器碳化硅
由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法
本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一绝缘衬底;步骤2:采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理,用于去除表面划痕等缺陷,将表面刻蚀平整;步骤3:对绝缘衬底进行高温氮...
刘兴昉孙国胜李晋闽赵永梅王雷赵万顺王亮纪刚杨挺曾一平
文献传递
立方相SiC MEMS器件研究进展被引量:2
2010年
主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视。随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化。
杨挺孙国胜吴海雷闫果果宁瑾赵永梅刘兴昉罗木昌王雷赵万顺曾一平
关键词:MEMS器件基本结构可靠性
一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法
本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法,首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀,以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽,然后在沟槽中外延生长碳化硅,以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构,在SiC...
刘敏何志刘胜北刘兴昉杨香樊中朝王晓峰潘岭峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
文献传递
利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法
一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀...
杨健司朝伟韩国威宁瑾赵永梅梁秀琴
文献传递
基于空间分区复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构
一种基于空间分区复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构,包括:支撑基底;形成于该支撑基底上的隔离层;形成于该隔离层上的超透镜结构材料层;该超透镜结构材料层分布有三种基于空间分区复用并满足几何相位原理的纳米结构单元阵列,...
毛旭余钢赵永梅魏博申超杨香杨富华王晓东
双自由度MEMS压电梁结构
本发明提供一种双自由度MEMS压电梁结构,包括:一衬底电极,该衬底电极为矩形;一锚点,其制作在衬底电极背面纵向的一侧;一第一压电层,其制作在衬底电极上;一夹层电极,其制作在第一压电层上;一第二压电层,其制作在夹层电极上;...
司朝伟韩国威赵永梅宁瑾杨富华
文献传递
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法,包括以下步骤:步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层;步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形;步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述...
刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
文献传递
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将硅衬底进行氢气刻蚀处理;步骤2:通入三甲基铝,进行硅衬底表面铺铝;步骤3:不关断三甲基铝源,通入氨气,进行氮化铝缓冲层生长;步骤...
赵永梅孙国胜刘兴昉李家业王雷赵万顺李晋闽曾一平
文献传递
电学测试的汞探针装置
一种电学测试的汞探针装置,其特征在于,包括:一基座,该基座为扁平状的圆柱体,在基座的中心处纵向开有一细水银槽,在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽;在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽,该左水银槽与圆环形的水...
纪刚孙国胜宁瑾刘兴昉赵永梅王雷赵万顺曾一平李晋闽
文献传递
共7页<1234567>
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