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赵万顺

作品数：134 被引量：30H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 97篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 11篇会议论文

领域

  • 41篇电子电信
  • 6篇理学
  • 4篇机械工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 63篇碳化硅
  • 37篇衬底
  • 20篇半导体
  • 16篇3C-SIC
  • 11篇硅衬底
  • 10篇外延层
  • 10篇硅材料
  • 9篇栅氧化
  • 9篇碳化硅材料
  • 9篇4H-SIC
  • 8篇SIC
  • 7篇氧化层
  • 7篇英文
  • 7篇元胞
  • 7篇栅氧化层
  • 7篇碳化
  • 7篇金属
  • 7篇LPCVD
  • 6篇导体
  • 6篇退火

机构

  • 134篇中国科学院
  • 3篇兰州大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 134篇赵万顺
  • 132篇王雷
  • 126篇孙国胜
  • 115篇曾一平
  • 104篇刘兴昉
  • 72篇闫果果
  • 53篇张峰
  • 48篇李晋闽
  • 30篇赵永梅
  • 17篇刘斌
  • 16篇刘胜北
  • 15篇罗木昌
  • 14篇郑柳
  • 13篇董林
  • 12篇王亮
  • 12篇宁瑾
  • 12篇李家业
  • 11篇高欣
  • 9篇田丽欣
  • 8篇张永兴

传媒

  • 17篇Journa...
  • 3篇半导体光电
  • 2篇发光学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇科技纵览
  • 1篇第八届全国固...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇2013‘全...
  • 1篇TFC’03...

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 9篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 8篇2009
  • 7篇2008
  • 8篇2007
  • 4篇2006
  • 7篇2005
共 134 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传...
孙国胜王雷赵万顺李家业赵永梅刘兴昉
文献传递
竖直式离子注入碳化硅高温退火装置
本实用新型是一种竖直式离子注入碳化硅高温退火装置。该装置的石英管退火室竖直设置，两端由水冷法兰盘封闭；法兰盘上端有退火室的进样门，进样门中心有一个小孔，是退火时保护气体的入口，进样门与法兰盘之间用密封圈密封连接；法兰盘下...
孙国胜王雷赵万顺
文献传递
集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置
本发明公开了一种原子层沉积装置。该原子层沉积装置包括：薄膜生长室，在其相对的两侧面分别设置第一红外观察窗口和第二红外观察窗口；傅里叶红外光源，位于薄膜生长室的一侧，用于发射红外光束，红外光束通过第一红外观察窗口透射至位于...
张峰孙国胜王雷赵万顺刘兴昉闫果果曾一平
文献传递
3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性(英文)
2004年
研究了低压化学气相淀积方法制备的 n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管 (HJD)在 30 0～ 4 80 K高温下的电流密度 -电压 (J- V)特性 .室温下 HJD的正反向整流比 (通常定义为± 1V外加偏压下 )最高可达 1.8× 10 4 ,在 4 80 K时仍存在较小整流特性 ,整流比减小至 3.1.在 30 0 K温度下反向击穿电压最高可达 2 2 0 V .电容 -电压特性表明该 Si C/Si异质结为突变结 ,内建电势 Vbi为 0 .75 V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向 J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明 ,并讨论了电流输运机制 .该异质结构可用于制备高质量异质结器件 ,如宽带隙发射极 Si C/Si
张永兴孙国胜王雷赵万顺高欣曾一平李晋闽李思渊
关键词：LPCVD异质结二极管
用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法
本发明一种用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一炭化层，此炭化层作为衬底和3...
刘兴昉孙国胜李晋闽赵永梅王雷赵万顺李家业曾一平
文献传递
利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性(英文)
2007年
利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构均匀性、电学均匀性和厚度均匀性进行了分析.X射线衍射图中出现了强的3C-SiC的特征峰,其中3C-SiC的(200)和(111)峰的半高宽分别为0·41°和0·21°.3C-SiC外延膜方块电阻的均匀性最好可达2·15%.厚度均匀性可达±5·7%(σ/mean值).
李家业赵永梅刘兴昉孙国胜罗木昌王雷赵万顺曾一平李晋闽
关键词：3C-SIC异质外延生长均匀性
BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的原子层沉积方法
一种BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的原子层沉积方法，包括：清洗薄膜生长的基底；将形成有一层羟基的基底放入生长室并导入含Bi的前体；向生长室中再通入氮气，清除羟基与Bi前体的反应残余物；向生长室导入氧化剂，使氧化剂...
张峰孙国胜王雷赵万顺刘兴昉曾一平
文献传递
一种宽禁带功率半导体器件及制备方法
本发明提供一种宽禁带功率半导体器件及制备方法，包括：半导体基片，基片中形成p型掺杂层(40)、n+源区层(50)和p+基区层(60)，在一个元胞范围内p型掺杂层(40)左右分布不对称，n+源区层(50)和p+基区层(60...
申占伟刘兴昉闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平
降低磷离子注入（0001）取向的4H－碳化硅电阻率的方法
一种降低磷离子注入(0001)取向的4H－碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过模拟程序选定在4H－碳化硅上进行磷离子注入参数，以形成杂质在注入层中的均匀分布；将磷离子注入到4H－碳化硅(0001)晶面；注入...
高欣孙国胜李晋闽王雷赵万顺
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多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法
本发明提出了一种采用立方相碳化硅材料制作的微机电系统谐振器件及其制作方法。本发明提出的谐振器件是一种静电感应激励方式的谐振器件，振动模式为横向振动和纵向振动。本发明提出的谐振器件采用衬底/隔离层1/隔离层2/牺牲层/立方...
王亮宁瑾孙国胜王雷赵万顺赵永梅刘兴昉
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