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刘兴昉

作品数：126 被引量：53H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部高校骨干教师资助计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术化学工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 98篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇化学工程
  • 3篇机械工程
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 64篇碳化硅
  • 26篇衬底
  • 23篇半导体
  • 11篇刻蚀
  • 10篇导体
  • 10篇外延层
  • 10篇硅材料
  • 9篇栅氧化
  • 9篇碳化硅材料
  • 9篇硅衬底
  • 8篇沟槽
  • 8篇SIC
  • 7篇元胞
  • 7篇碳化
  • 7篇金属
  • 7篇禁带
  • 7篇宽禁带
  • 7篇硅薄膜
  • 7篇硅源
  • 6篇碳化硅薄膜

机构

  • 121篇中国科学院
  • 5篇中南大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 126篇刘兴昉
  • 113篇孙国胜
  • 105篇王雷
  • 104篇赵万顺
  • 103篇曾一平
  • 79篇闫果果
  • 54篇张峰
  • 34篇赵永梅
  • 29篇李晋闽
  • 26篇刘斌
  • 24篇刘胜北
  • 20篇郑柳
  • 19篇董林
  • 12篇王亮
  • 12篇李家业
  • 11篇宁瑾
  • 9篇田丽欣
  • 7篇樊中朝
  • 7篇罗木昌
  • 7篇何志

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇半导体光电
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇湖南冶金
  • 1篇炭素技术
  • 1篇新材料产业
  • 1篇科技纵览
  • 1篇智能电网
  • 1篇第六届全国新...
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 9篇2020
  • 6篇2019
  • 10篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
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  • 8篇2014
  • 7篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 8篇2009
  • 6篇2008
  • 8篇2007
  • 3篇2006
  • 4篇2004
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高碳化硅少子寿命的方法
一种提高碳化硅少子寿命的方法，该方法包括将碳化硅外延层在氧气中升温氧化；保持温度不变，将得到的碳化硅通入NO气体进行氮氧氧化；将得到的碳化硅在缓冲液中浸泡去除氧化过程中在碳化硅外延层表面形成的氧化层；将得到的碳化硅在惰性...
闫果果刘兴昉申占伟赵万顺王雷孙国胜曾一平
文献传递
连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定...
刘兴昉郑柳董林闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平李晋闽
文献传递
电化学刻蚀装置及其刻蚀方法
本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中，该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片，以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域；在电化学刻蚀过程中，夹具结构设置在容...
赵思齐刘兴昉闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平
碳化硅半导体技术及产业发展现状被引量：11
2015年
碳化硅半导体（这里指4H-SiC）是新一代宽禁带半导体，它具有热导率高（比硅高3倍）、与GaN晶格失配小（4％）等优势，非常适合用作新一代发光二极管（LED）衬底材料、大功率电力电子材料。
刘兴昉陈宇
关键词：碳化硅半导体半导体技术宽禁带半导体晶格失配衬底材料电子材料
一种多片碳化硅半导体材料制造装置
本发明公开了一种半导体材料生长制造装置，包括：主腔室，进气系统，石墨托，感应加热线圈，旋转系统和排气系统；所述进气系统用于向所述主腔室输入材料生长所需的气体；所述石墨托用于放置衬底材料，位于所述进气系统下方；所述感应加热...
闫果果孙国胜刘兴昉张峰王雷赵万顺曾一平
文献传递
台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层...
刘兴昉曾一平孙国胜李晋闽赵永梅宁瑾王雷赵万顺罗木昌李家业
关键词：4H-SIC紫外探测器
文献传递
变温平台及DLTS测试系统
本发明提供了一种变温平台及DLTS测试系统，变温平台包括：水冷腔室、加热机构和至少两个探针臂；水冷腔室上设置至少一个放气口、至少一个抽气口、至少两个进水口以及至少两个出水口；加热机构包括加热板、热电阻和第一固定结构，第一...
赵万顺闫果果刘兴昉张峰
用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法
本发明一种用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一碳化层，此碳化层作为衬底和3...
刘兴昉孙国胜李晋闽赵永梅王雷赵万顺李家业曾一平
文献传递
硅(Si)衬底上碳化硅(SiC)薄膜的快速生长
本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长速度与反应气体流量...
李家业赵永梅刘兴昉孙国胜王雷赵万顺罗木昌曾一平李晋闽
关键词：X射线衍射碳化硅
文献传递
由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法
本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理，用于去除表面划痕等缺陷，将表面刻蚀平整；步骤3：对绝缘衬底进行高温氮...
刘兴昉孙国胜李晋闽赵永梅王雷赵万顺王亮纪刚杨挺曾一平
文献传递
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