郑越
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中山大学电子与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究被引量：2
- 2016年
- 高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
- 杨帆何亮郑越沈震刘扬
- 关键词：MOSFET
- 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
- 2015年
- 采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。
- 周桂林张金城沈震杨帆姚尧钟健郑越张佰君敖金平刘扬
- 关键词：氮化镓场效应管等离子增强化学气相沉积
- 纵向导通GaN电力电子器件的制作方法
- 本发明涉及一种纵向导通GaN电力电子器件的制作方法，包括以下步骤：a.提供一蓝宝石衬底，并在其上采用氢化物气相外延生长导电GaN体材料层；b.在导电GaN体材料层上依次生长同质外延层、异质结构势垒层及器件结构层；c.使用...
- 刘扬郑越姚尧
- 文献传递
- 选区外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
- aN为代表的Ⅲ族氮化物半导体以其优异的物理性能成为下一代理想的电力电子材料,但是在GaN电力电子器件全面实现商品化道路上,仍然面临着诸多挑战,其中制备高度可靠稳定的GaN常关型MOSFET功率器件,就是目前学术界与产业界...
- 刘扬杨帆郑越何亮姚尧贺致远
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管氮化镓稳定性
- 采用选择区域外延技术制备的常关型Si衬底GaN MOSFET的特性研究
- 在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlG...
- 姚尧吴志盛张佰君刘扬贺致远杨帆沈震张金城王硕周桂林钟健郑越
