您的位置： 专家智库 > >

姚尧

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 5篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 7篇FET器件
  • 7篇场效应
  • 6篇势垒
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇晶体管
  • 6篇绝缘
  • 6篇绝缘层
  • 6篇沟道
  • 6篇GAN
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇导通
  • 4篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 4篇SI衬底
  • 4篇衬底
  • 3篇氮化镓
  • 3篇阳极
  • 3篇栅极
  • 3篇漏电流
  • 3篇金属

机构

  • 25篇中山大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇德岛大学

作者

  • 25篇姚尧
  • 23篇刘扬
  • 7篇贺致远
  • 5篇倪毅强
  • 5篇张佰君
  • 5篇杨帆
  • 5篇何亮
  • 4篇魏进
  • 4篇张金城
  • 4篇郑越
  • 3篇杨帆
  • 3篇王硕
  • 2篇钟健
  • 2篇沈震
  • 2篇黎夏
  • 2篇李丹
  • 2篇陈逸敏
  • 2篇梁迅
  • 2篇周桂林
  • 2篇刘小平

传媒

  • 3篇第13届全国...
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇中国科技论文
  • 1篇2013年全...

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 7篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 25 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂外延...
刘扬何亮杨帆姚尧倪毅强
文献传递
一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法
本发明公开一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法，其场效应晶体管，由下往上依次包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层；外延层、势垒层形成异质结；异质结上的势垒层上设有欧姆接触源电极、栅极、源电极和欧姆接触漏电极。本...
刘扬魏进姚尧
文献传递
采用AlN/GaN超晶格缓冲层的Si衬底GaN外延材料特性研究
本文研究了不同等效Al组分的AlN/GaN超晶格缓冲层结构对Si衬底上GaN外延材料(图la)特性的影响.其中超晶格中的等效Al组分被定义为Al％=dAlN/(dAlN+dGaN)× 100％.我们通过改变AlN或者Ga...
倪毅强贺致远杨帆姚尧周德秋吴志盛张佰君刘扬
一种横向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
本发明涉及一种横向导通的GaN常关型MISFET器件，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅极、源极、漏极、绝缘层。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层及GaN外延层，以及其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外...
刘扬何亮倪毅强姚尧杨帆
文献传递
低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低...
杨帆贺致远倪毅强姚尧王硕张金城吴志盛张佰君刘扬
一种GaN基异质结肖特基二极管器件
本实用新型涉及一种GaN基异质结肖特基二极管器件。该器件包括衬底及生长在衬底之上的外延层，其中，外延层由下往上包括应力缓冲层、GaN层以及异质结构势垒层。在外延层阳极区域刻蚀形成凹槽，凹槽与异质结构势垒层的部分表面蒸镀低...
刘扬钟健姚尧
文献传递
一种GaN基增强型MOSHFET器件及其制备方法
本发明涉及GaN增强型MOSHFET器件及其制备方法。该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层，其中，外延层由下往上依次包括应力缓冲层及GaN层，GaN层上在栅极区域选择生长一层p-GaN层，在接入区选择生长一层异质结构势垒...
刘扬姚尧张佰君
一种GaN基异质结肖特基二极管器件及其制作方法
本发明涉及一种GaN基异质结肖特基二极管器件及其制备方法。该器件包括衬底及生长在衬底之上的外延层，其中，外延层由下往上包括应力缓冲层、GaN层以及异质结构势垒层。在外延层阳极区域刻蚀形成凹槽，凹槽与异质结构势垒层的部分表...
刘扬钟健姚尧
文献传递
一种横向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
本发明涉及一种横向导通的GaN常关型MISFET器件，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅极、源极、漏极、绝缘层。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层及GaN外延层，以及其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外...
刘扬何亮倪毅强姚尧杨帆
文献传递
场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响
2014年
场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。
王硕张炜姚尧张金城刘扬
关键词：氮化镓场板结构击穿电压
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0