何亮
- 作品数：29 被引量：32H指数：2
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理更多>>
- 一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构
- 本实用新型涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构。一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，包括衬底、在衬底上生长应力缓冲层、在应力缓冲层上生长GaN缓冲层、在G...
- 刘扬张佳琳杨帆何亮
- 文献传递
- 一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种高质量MIS栅结构的GaN MISFET及其制备方法。具体涉及MIS界面的改进方法，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括一次外延生长的应力...
- 刘扬王文静何亮
- 文献传递
- GaN功率开关器件的产业发展动态被引量：5
- 2017年
- 氮化镓(GaN)功率电子器件具有优异的电学特性,在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景,满足下一代功率管理系统对高效节能、小型化和智能化的需求。P型栅和Cascode结构的常关型GaN器件已逐步实现产业化,但鉴于这两种器件结构本身存在的缺点,常关型GaN MOSFET器件方案备受关注。目前,GaN功率开关器件主要朝高频化发展,封装形式从直插型(TO)封装向贴片式(QFN)封装演变,为进一步消除寄生效应对器件高速开关特性造成的不良影响,驱动和功率器件集成的GaN功率集成电路(IC)技术被采用,单片集成的全GaN功率IC是未来的发展方向。
- 何亮郑介鑫刘扬
- 关键词：功率开关器件氮化镓封装
- 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战被引量：28
- 2016年
- 氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。
- 何亮刘扬
- 关键词：GANMOSFET器件
- 选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究被引量：2
- 2016年
- 高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
- 杨帆何亮郑越沈震刘扬
- 关键词：MOSFET
- 一种高质量栅界面的GaN MISFET器件及其制备方法
- 本发明涉及一种高质量栅界面的GaN MISFET器件及其制备方法。该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层、栅介质层、源极、漏极、栅极。外延层包括一次外延生长的应力缓冲层和GaN外延层，其上再选择区域生长二次外延层，并形成凹...
- 刘扬吴千树何亮
- 文献传递
- 一种增强型半导体晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种增强型半导体晶体管及其制备方法。该器件包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极和漏极。外延层包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层和p型氮化物层，以及二次外延氮化物势...
- 刘扬何亮
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- 一种具有高可靠性的氮化物器件及其制备方法
- 本发明涉及一种具有高可靠性的氮化物器件及其制备方法。包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极以及漏极；外延层自下至上依次包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层、二次外...
- 刘扬何亮
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- 一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
- 本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂外延...
- 刘扬何亮杨帆姚尧倪毅强
- 文献传递
- 一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管
- 本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种高质量MIS栅结构的GaN MISFET。具体涉及MIS界面的改进，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层和Ga...
- 刘扬王文静何亮
- 文献传递
