沈震
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中山大学电子与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究被引量：2
- 2016年
- 高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
- 杨帆何亮郑越沈震刘扬
- 关键词：MOSFET
- GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法
- 本发明公开一种GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件，包括衬底（1）及生长于衬底（1）之上的外延层，其特征在于，外延层由下往上依次包括应力缓冲层（2）、GaN层（3）及异质结构势垒层（4），在栅极区域刻蚀异质结构势垒层...
- 刘扬沈震张佰君
- 文献传递
- GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底及设于衬底的外延层，外延层由下往上依次包括应力缓冲层、GaN层及异质层，在异质层表面上形成有绝缘介质层，且在绝缘介质层上定义有栅极区域，...
- 刘扬许广宁沈震
- 文献传递
- 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
- 2015年
- 采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。
- 周桂林张金城沈震杨帆姚尧钟健郑越张佰君敖金平刘扬
- 关键词：氮化镓场效应管等离子增强化学气相沉积
- GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法
- 本发明公开一种GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件，包括衬底（1）及生长于衬底（1）之上的外延层，其特征在于，外延层由下往上依次包括应力缓冲层（2）、GaN层（3）及异质结构势垒层（4），在栅极区域刻蚀异质结构势垒层...
- 刘扬沈震张佰君
- GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底及设于衬底的外延层，外延层由下往上依次包括应力缓冲层、GaN层及异质层，在异质层表面上形成有绝缘介质层，且在绝缘介质层上定义有栅极区域，...
- 刘扬许广宁沈震
- 采用选择区域外延技术制备的常关型Si衬底GaN MOSFET的特性研究
- 在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlG...
- 姚尧吴志盛张佰君刘扬贺致远杨帆沈震张金城王硕周桂林钟健郑越
