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杨帆

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：中山大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇GAN
  • 3篇MOSFET
  • 2篇施主
  • 2篇半导体
  • 2篇表面态
  • 2篇2DEG
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇等离子增强化...
  • 1篇电离
  • 1篇阈值电压
  • 1篇稳定性
  • 1篇物理学
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体物理

机构

  • 6篇中山大学
  • 1篇德岛大学

作者

  • 6篇杨帆
  • 5篇刘扬
  • 4篇张金城
  • 3篇沈震
  • 3篇张佰君
  • 3篇贺致远
  • 3篇姚尧
  • 3篇郑越
  • 3篇王硕
  • 2篇倪毅强
  • 2篇周桂林
  • 2篇钟健
  • 1篇何亮
  • 1篇张炜
  • 1篇敖金平

传媒

  • 2篇中国科技论文
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇电源学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究被引量：2
2016年
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺(包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质),使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明,选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面,使器件具备优越的阈值电压稳定性;同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。
杨帆何亮郑越沈震刘扬
关键词：MOSFET
低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低...
杨帆贺致远倪毅强姚尧王硕张金城吴志盛张佰君刘扬
表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
2014年
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。
杨帆林哲雄张炜张金城王硕贺致远倪毅强刘扬
关键词：半导体物理学
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
2015年
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。
周桂林张金城沈震杨帆姚尧钟健郑越张佰君敖金平刘扬
关键词：氮化镓场效应管等离子增强化学气相沉积
采用选择区域外延技术制备的常关型Si衬底GaN MOSFET的特性研究
在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlG...
姚尧吴志盛张佰君刘扬贺致远杨帆沈震张金城王硕周桂林钟健郑越
表面态对AlGaN/GaN异质结构中2DEG影响的模拟研究
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模拟显示施主表面态为2DEG中电子来源,A1GaN...
Fan Yang杨帆Zhexiong Lin林哲雄Wei Zhang张炜Jincheng Zhang张金城Zhiyuan He贺致远Yiqiang Ni倪毅强Yang Liu刘扬
关键词：半导体材料二维电子气
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