钟健
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
- 2015年
- 采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。
- 周桂林张金城沈震杨帆姚尧钟健郑越张佰君敖金平刘扬
- 关键词：氮化镓场效应管等离子增强化学气相沉积
- 采用选择区域外延技术制备的常关型Si衬底GaN MOSFET的特性研究
- 在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlG...
- 姚尧吴志盛张佰君刘扬贺致远杨帆沈震张金城王硕周桂林钟健郑越
