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詹娟
作品数:
18
被引量:25
H指数:3
供职机构:
东南大学电子科学与工程学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
刘光廷
东南大学电子科学与工程学院
孙国梁
东南大学微电子中心
童勤义
东南大学
徐晓莉
东南大学
孔德平
东南大学
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东南大学
作者
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詹娟
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刘光廷
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孙国梁
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徐晓莉
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童勤义
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1997
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1996
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1995
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1994
1篇
1993
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1992
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1991
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1990
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1篇
1988
1篇
1985
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18
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半导体放电管的短路点设计
1997年
本文主要讨论了电话系统抗电涌防护装置中半导体放电管的阴极短路点设计方法。
詹娟
关键词:
半导体放电管
半导体直接键合的工艺方法
一种用于直接键合半导体片的工艺方法,采用氧化、表面处理和热处理的方法实现,其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后,对绝缘层表面进行表面结合键增强处理。热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺...
童勤义
詹娟
孙国梁
徐晓莉
铝栅MOS/双极复合功率管
本发明属于集成功率器件。由MOS管作为输入级,双极型管作为输出级在同一芯片上以达林顿形式组成。该管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。采用以铝栅工艺为主体的MOS/双极兼容工艺,MOS管的漏区与一只双极型管的基区为同一扩散...
蔡世俊
茅盘松
詹娟
文献传递
直接键合硅片的亲水处理
被引量:7
1994年
硅片直接键合技术的关键是硅片表面的亲水处理。本文研究了亲水处理的微观过程,处理溶液的选择条件及处理的方法。指出只要具有氧化剂的硅片清洗液都可以做亲水处理液。
詹娟
关键词:
硅
直接键合
多位复合驱动器
多位复合驱动器属于半导体集成电路,它由若干个单元器件组成,每个单元器件都由一个MOS管作为输入端,一个双极晶体管作为输出端,具有体积小,功耗低的优点,不仅可以直接驱动步进电机或热敏头,而且可以直接与其它控制电路接口,有利...
詹娟
张会珍
蔡士俊
谢世健
文献传递
半导体放电管维持电流的研究
被引量:2
1997年
对提高半导体放电管的维持电流(IH)进行了研究,实验结果表明:应用一般晶闸管维持电流公式进行调整,不易得到大的维持电流,必须在放电管结构上进行改进。
詹娟
关键词:
半导体放电管
维持电流
放电管
双向晶闸管
硅片键合界面对功率管饱和压降的影响
被引量:3
1996年
本文讨论了键合工艺及键合界面的存在对功率晶体管饱和压降的影响,指出严格的控制各种沾污,适当的选择衬底材料可降低界面势垒。实验证明,用键合材料制作的功率管比深结扩散材料制作的功率管饱和压降略有下降。
詹娟
关键词:
硅片键合
功率晶体管
饱和压降
硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究
被引量:4
1990年
本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。
詹娟
刘光廷
孔德平
关键词:
功率晶体管
直接键合
SDB
半导体放电管
1998年
介绍了用于通信保安单元中的新一代过压保护器件——半导体放电管,简述了它的特点、工作原理、结构及应用。
詹娟
关键词:
硅
半导体
放电管
硅片直接键合界面的存在对器件性能的影响
1993年
利用电子透射显微镜(TEM)和俄歇分析仪(AES)观察硅片直接键合界面结构,在界面存在一个小于2nm厚的非晶区-硅氧化物。此界面具有良好的吸杂效应,在同一退火温度下,退火时间愈长,吸杂现象愈明显。因此键合界面的存在改善了晶体管的性能。
詹娟
孙国樑
刘光廷
关键词:
硅直接键合
半导体器件
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