孙国梁
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
- 供职机构：东南大学微电子中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅片键合界面的吸杂效应
- 1995年
- 本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究，根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实，提出了键合界面的吸杂试验，分析了其吸杂效应的机理，给出了吸杂方程。理论计算和实验结果得到了较好的吻合。
- 詹娟孙国梁
- 关键词：硅片键合SOI
- 硅片直接键合中表面活化的研究被引量：5
- 1990年
- 本文提出在直接键合前用等离子体活化硅片表面的方法。经活化后表面硅悬挂键明显增加,从而对羟基进行有效的化学吸附。低压气体放电等离子体主要通过离子轰击对硅表面赋能与活化,其活化效果与气体种类无关。温度通过热能对氧化硅表面有赋能与钝化作用,表面活化处理时温度不能超过临界点。850℃等离子体处理6分钟可得满意结果。已成功实现3英寸直径硅片之直接键合。所制成的高压MOS器件及0.8—3μm CMOS器件证实键合质量良好,未引入沾污及附加应力。
- 童勤义孙国梁徐晓莉詹娟谢世健张会珍
- 关键词：硅片键合表面活化SOI材料
- 半导体直接键合的工艺方法
- 一种用于直接键合半导体片的工艺方法，采用氧化、表面处理和热处理的方法实现，其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后，对绝缘层表面进行表面结合键增强处理。热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺...
- 童勤义詹娟孙国梁徐晓莉
- 硅片直接键合技术的氧等离子体表面处理
- 1990年
- 硅片直接键合技术是制备SOI材料的有效途径,其关键工艺是对SiO_2表面进行活化处理。本文报道用 AES、XPS 和 IR 分析研究不同条件氧等离子体处理对 SiO_2表面结构和性质的影响。结果表明,SiO_2经氧等离子体处理后,活性氧和电子破坏了硅氧桥结构,导致表面活化,易于吸附OH^-和 H^+离子,表面腐蚀速度增大。用处理后的硅片实现了不加压的键合,获得了性能优良的 SOI材料。
- 蔡跃明吕世骥孙国梁
- 关键词：硅片键合等离子体表面处理SOI
- 硅片直接键合制备SOI及其高压器件的研究
- 孙国梁
- 关键词：硅片
- 硅片直接键合及其界面吸杂效应的研究
- 孙国梁
- 半导体直接键合的工艺方法
- 一种用于直接键合半导体片的工艺方法，采用氧化、表面处理和热处理的方法实现，其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后，对绝缘层表面进行表面结合键增强处理，热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺...
- 童勤义詹娟孙国梁徐晓莉
- 文献传递
