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徐晓莉

作品数:16 被引量:17H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇文化科学

主题

  • 7篇信道
  • 5篇通信
  • 4篇地图
  • 4篇直接键合
  • 4篇射频
  • 4篇键合
  • 3篇自适
  • 3篇自适应
  • 3篇无线
  • 3篇环境自适应
  • 3篇基站
  • 3篇波束
  • 2篇大维
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇到达率
  • 2篇地图学
  • 2篇地图学习
  • 2篇电路
  • 2篇队列

机构

  • 16篇东南大学

作者

  • 16篇徐晓莉
  • 8篇曾勇
  • 5篇童勤义
  • 4篇金石
  • 2篇张瑞
  • 2篇孙国梁
  • 2篇詹娟
  • 2篇吴迪
  • 1篇黄永明

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 3篇1989
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用滞后反馈信息的数据包编码与实时传输方法
本发明公开了一种利用滞后反馈信息的数据包编码与实时传输方法,包括:在发送端通过滞后的反馈信息更新未确认的数据包集,估计信道的丢包率,并估计接收端的译码队列状态;在信道空闲的时隙,如果接收端队列非空的概率超过系统设定的阈值...
徐晓莉
一种物理地图与射频地图同时构建及互惠增强的方法
本发明公开了一种物理地图与射频地图同时构建及互惠增强的方法,其中网联飞行器在执行飞行任务前根据历史数据或无线信道模型初始化物理地图和射频地图,飞行时测量飞行轨迹中包括无线信号强度的射频数据,以判断飞行器与地面基站的链路是...
曾勇杨宇航徐晓莉
利用滞后反馈信息的数据包编码与实时传输方法
本发明公开了一种利用滞后反馈信息的数据包编码与实时传输方法,包括:在发送端通过滞后的反馈信息更新未确认的数据包集,估计信道的丢包率,并估计接收端的译码队列状态;在信道空闲的时隙,如果接收端队列非空的概率超过系统设定的阈值...
徐晓莉
基于波束索引地图的免信道训练大维通信波束对齐方法
本发明公开了一种基于波束索引地图的免信道训练大维通信波束对齐方法,包括:通过离线射线追踪仿真计算、离线实地测量或在线实时测量等方式获取通信环境感知的信道知识数据,并通过数据预测及扩充等方法,构建并及时更新基于基站与用户地...
曾勇吴迪徐晓莉金石
文献传递
半导体直接键合的工艺方法
一种用于直接键合半导体片的工艺方法,采用氧化、表面处理和热处理的方法实现,其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后,对绝缘层表面进行表面结合键增强处理。热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺...
童勤义詹娟孙国梁徐晓莉
硅片直接键合机理及快速热键合工艺被引量:11
1991年
本文的理论与实验结果说明,硅片表面吸附的OH团是室温下硅片相互吸引的主要根源。采用SIMS和红外透射谱定量测量了OH吸附量。开发了表面活化技术。发现键合强度随温度而增大是键合面积增加所致。SiO_2/SiO_2键合之界面中各种物质的扩散及氧化层粘滞流动可以消除界面微观间隙。经表面活化的两硅片经室温贴合,150℃预键合,800℃,2小时退火后经1200℃,2分钟快速热键合可实现完善的键合且原有杂质分布改变很小,为减薄工艺提供了一个技术基础。
童勤义徐晓莉沈华张会珍
关键词:硅片键合热键合减薄
基于三维空间射频地图学习的网联飞行器自适应控制方法
本发明公开了一种上述基于三维空间射频地图学习的网联飞行器自适应控制方法,其中蜂窝网络端构建三维空间射频地图,使网联飞行器用户在执行飞行任务前获取三维空间射频地图,规划飞行路径和通信策略,以保障在完成任务的情况下维持与蜂窝...
曾勇徐晓莉金石张瑞
基于粗略物理地图与射频数据的信道知识地图构建方法
本发明公开了一种基于粗略物理地图与射频数据的信道知识地图构建方法,首先通过卫星地图提取感兴趣区域内建筑物粗略位置等物理环境信息,依据经验模型构建初始信道知识地图(Channel Knowledge Map,CKM)。随后...
徐晓莉曾诗琪曾勇
硅片直接键合机理研究被引量:6
1990年
提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200—400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发生显著化学聚合反应,形成硅氧键及水.水分子高温下扩散入体内与硅氧化,使键合强度增大,并使键合界面处空洞形成局部真空,有利于空洞消失.水扩散系数随温度而指数增大,在1050℃附近有一转折点,扩散系数增加速率显著减慢.由以上键合机理确定了优化的两阶段键合工艺,制得3英寸直接键合硅片.成功地利用SOI/SDB衬底制备了1—3μm CMOS器件,典型的电子和空穴沟道迁移率为680cm^2/V·sec及320cm^2/V·sec.
童勤义徐晓莉
关键词:硅片SDB直接键合
GaAs与Si超高速数字集成电路的性能比较
1989年
本文介绍了GaAs与Si超高速数字集成电路(数字VHSIC)目前的进展情况。从材料特性、器件结构及高速集成电路的应用等方面对GaAs与Si数字VHSIC的性能进行了初步比较。探讨了GaAs与Si数字VHSIC的发展潜力及存在的主要问题。
徐晓莉童勤义
关键词:GAASSI数字集成电路超高速
共2页<12>
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