童勤义
- 作品数：58 被引量：76H指数：5
- 供职机构：东南大学微电子中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
- CMOS恒温集成流量传感器
- 本实用新型采用功率的变化作为对流速的量度，只采用一只NMOS管作为温度敏感元件，并且在整个芯片中全部采用MOS器件，将温度敏感元件，运算放大器、加热元件用常规CMOS硅栅等平面工艺实现单片集成，采用单一的5V电源工作，并...
- 童勤义黄金彪
- 文献传递
- Raman谱测量PECVD氮化硅/GaAs的应力
- 1992年
- 氮化硅薄膜广泛用于离子注入GaAs后退火的覆盖层及器件的钝化层。但由于氮化硅与GaAs热膨胀系数的差别会在氮化硅/GaAs界面存在较大应力。若氮化硅用作退火的覆盖层,这种应力会在GaAs衬底产生缺陷;若用作钝化层,则会引起GaAs MESFET栅的取向效应。因此,测量氮化硅/GaAs界面处的应力很有意义。过去人们常用的机械方法和光学方法仅能测量氮化硅薄膜的应力,而不能确定GaAs表面的应力。Raman谱方法可测量GaAs表面处的应力。本文报道了Raman谱测量氮化硅/GaAs表面应力的结果。
- 黄庆安童勤义
- 关键词：氮化硅砷化镓应力
- 微小流量传感器的数值模拟被引量：1
- 1993年
- 给出了微小流量传感器的数值模型,并进行了数值模拟。数值模型表明流体前端与末端两端点间距是提高传感器灵敏度的关键因素,数值模拟结果为微小流量传感器设计提供了两端点最佳间距。
- 沈克强童勤义
- 关键词：传感器
- pn结泄漏电流对高温集成MOSFET交流性能的影响被引量：4
- 1993年
- 分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性能影响的重要方法是增加衬底掺杂浓度。还给出了漏源pn结泄漏电流和工作在ZTC点的漏源电流最大允许比例的计算公式。
- 柯导明童勤义冯耀兰
- 关键词：模拟集成电路MOSFET
- 超薄膜SOI技术与亚微米VLSI
- 1991年
- 本文介绍了传统的体硅技术在亚微米VLSI中所遇到的限制,超薄膜SOI技术(Ultrathin Silicon-On-Insulator Technology)在小尺寸器件方面具有的特点和长处,讨论了它存在的问题。
- 陈军宁童勤义
- 关键词：VLSISOI技术微细加工
- 高温微电子学—Ⅰ硅器件的高温特性研究被引量：5
- 1990年
- 本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。
- 柯导明童勤义
- 关键词：高温微电子学硅器件半导体器件
- 高温微电子学-Ⅱ:硅集成电路的高温特性研究被引量：4
- 1990年
- 本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI CMOS集成电路。
- 柯导明童勤义
- 关键词：高温微电子学硅集成电路
- 实用化、集成化和多功能化硅传感器的研制与开发——第五届国际固态传感器与执行器会议综述
- 1989年
- 第五届国际固态传感器与执行器会议于1989年5月26日至30日在瑞士的蒙特洛举行。我国代表团有10多位代表参加会议,东南大学(南工)微电子中心童勤义教授是代表之一。这篇文章是童勤义教授对会议情况作的综合介绍。
- 童勤义
- 关键词：固态传感器硅传感器集成化
- 现代硅传感器的研制与开发——以微系统为目标、以微电子及微机械加工技术为基础的实用化、集成化和多功能化硅传感器的研制与开发
- 1990年
- 本文对1989年6月26日至30日在瑞士蒙特洛举行的第五届国际固态传感器与执行器会议进行综合介绍。重点指出该领域的技术发展:如硅微系统技术与硅微机械加工技术,硅片直接组合技术,多功能与集成技术,最后提出一些讨论和建议。
- 童勤义
- 关键词：硅传感器固态传感器
- 高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析被引量：1
- 1994年
- 本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。
- 柯导明柯晓黎冯耀兰童勤义
- 关键词：数字集成电路瞬态特性高温CMOS
