柯导明
- 作品数：132 被引量：225H指数：7
- 供职机构：安徽大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 天然气管网监控及综合管理一体化平台
- 柯导明张吉发徐超周正兵王海东樊进洪琪徐太龙孟坚
- “物联网”被世界公认为是继计算机、互联网与移动通信网之后的世界信息产业第三次浪潮。多个国家都在花巨资深入研究，力图占据领先位置。中国也将这项技术发展列入国家中长期科技发展规划。公司通过与安徽大学的技术合作，尝试打破传统，...
- 关键词：
- 关键词：物联网地理信息系统
- MOSFET漏/源电阻的半经验模型
- 2017年
- 本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有3个待定参数的超深亚微米MOSFET的漏/源电阻模型,而这3个参数可以用多元线性回归方法得到.论文用数值模拟数据,拟合了衬底掺杂是1×10^(15)~1×10^(16)cm^(-3)、沟道长度是45～2000 nm的平面n MOSFET和n LDD-MOSFET的漏/源电阻模型的待定参数,得到了它们的半经验公式,最大误差仅有9.5%.漏/源电阻模型和它的半经验公式计算结果表明,漏/源电阻仅与漏/源pn结结深、电阻率和沟道到漏/源电极长度有关,沟道长度、叠栅长度和电极长度对它的影响可以忽略.由于这个半经验表达式形式简单、精度高、物理概念清晰、易于提取参数,所以它既可以用于MOSFET的特性分析又可以用于电路模拟器.
- 柯导明杨建国常红杨菲胡鹏飞彭雪扬孙乐尚吴笛
- 关键词：数值模拟
- 基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型被引量：4
- 2007年
- 本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.
- 代月花高珊柯导明陈军宁
- 关键词：LDMOS阈值电压
- 考虑非均匀掺杂衬底对一维MOST模型的修正
- 2000年
- 为了控制MOST的阈值电压和减小DIBL效应 ,必须对MOST的沟道进行离子注入。这种非均匀掺杂衬底MOST特性的最常用分析方法是数值模拟 ,但这种方法计算量大 ,不能得到解析模型 ,不适用于电路模拟设计。本文所提出的解析模型与SPICEMOS3模型形式相似 ,但其所有参数都是数值模拟的解析公式。新模型将数值分析与解析方法结合起来 ,具有精度高 ,概念清晰 ,计算量小等优点 ,适用于电路分析程序。
- 柯导明陈军宁代月花宣长林段运生
- 关键词：数值模拟MOST集成电路
- 深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型
- 2013年
- 提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。不同于经典模型,该模型对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程,方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影响。求解方程得到了耗尽层厚度与表面势的关系函数,由此得出了一个包含有沟道长度的阈值电压公式。通过MEDICI软件对多种不同参数的MOS晶体管进行了仿真,此模型计算结果与MEDICI仿真数据吻合较好,比电荷分享模型精度高。
- 周少阳柯导明夏丹王保童申静
- 关键词：阈值电压短沟道效应表面势金属氧化物半导体场效应晶体管
- 高速接口中多指针弹性缓冲器设计被引量：1
- 2017年
- 弹性缓冲器广泛应用于高速接口物理层,一般通过读写指针跳跃和断点保存来完成跳跃字符(SKP)的添加和删除.高速接口对于这种单指针读写的弹性缓冲器有很高的频率要求,容易产生复杂的时序问题.为此基于FPGA,以USB3.0协议为标准,设计了一个具有4个读写指针寻址来实现SKP添加和删除的弹性缓冲器.首先利用输入控制单元改变输入数据中SKP对的排序,输出控制单元改变输出的数据;其次在阈值检测单元中检测弹性缓冲器中的有效数据量是否达到添加或删除的阈值,发出有效指令到读写指针控制单元;最后通过控制4个读写指针寻址来添加和删除数据中的SKP,维持弹性缓冲器的半满状态.实验结果表明,设计的弹性缓冲器可正确实现SKP的添加和删除功能,且时钟频率能够满足USB3.0的协议要求.
- 程国林常红柯导明张平
- 关键词：高速接口时钟
- 无线局域网技术发展
- 本文主要介绍了无线局域网(Wireless LAN)的技术发展情况.对各种无线局域网标准进行了介绍和比较.并介绍了无线局域网的组成结构以及传输方式.
- 潘灏陈军宁柯导明樊进
- 关键词：无线局域网WLANHOMERFISM蓝牙标准网络传输
- 文献传递
- pn结泄漏电流对高温集成MOSFET交流性能的影响被引量：4
- 1993年
- 分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性能影响的重要方法是增加衬底掺杂浓度。还给出了漏源pn结泄漏电流和工作在ZTC点的漏源电流最大允许比例的计算公式。
- 柯导明童勤义冯耀兰
- 关键词：模拟集成电路MOSFET
- 高温微电子学—Ⅰ硅器件的高温特性研究被引量：5
- 1990年
- 本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。
- 柯导明童勤义
- 关键词：高温微电子学硅器件半导体器件
- 软件无线电中的多主DSP系统结构
- 该文讨论了现有无线电通信的主要问题，介绍了软件无线电的概念，分析了软件无线电的基本原理、 主要特征和体系结构，提出并讨论了能满足软件无线电需求的多主DSP系统结构。
- 杨晓静陈军宁柯导明
- 关键词：软件无线电DSP无线电通信
- 文献传递
