高珊
- 作品数：74 被引量：30H指数：4
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- 基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型被引量：4
- 2007年
- 本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.
- 代月花高珊柯导明陈军宁
- 关键词：LDMOS阈值电压
- 二维量子力学效应对阈值电压的影响
- 2007年
- 在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意.
- 张婷代月花高珊
- 一种频率可调的基于RC的环形振荡器电路
- 本发明公开了一种频率可调的基于RC的环形振荡器电路，包括电压跟随器、6‑BIT电容阵列、电阻R1和R2、六个反相器，电压跟随器包括两个NMOS晶体管N6和N7、二极管D1、滤波电容C7和电阻R0，该电压跟随器与反相器阵列...
- 吴秀龙余飞龙彭春雨卢文娟蔺智挺黎轩高珊陈军宁
- 对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究被引量：1
- 2012年
- 文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。
- 谌婧娇陈军宁高珊
- 关键词：温度阈值电压亚阈值电流
- 复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
- 2015年
- 通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。
- 王栋周爱榕高珊
- 关键词：介电常数阈值电压电流模型短沟道效应
- 交通事故侦测与预警系统
- 本发明公开了一种交通事故侦测与预警系统，当发生交通事故时，该系统能够将交通事故报警信号传送给所有相联系的人或机构的系统，该系统能搜索和选择合适的设备、基础设施、行人和车辆来构成一个动态的智能系统，从而减少追尾事件及其它形...
- 蔺智挺吴秀龙彭春雨江元高珊李正平陈军宁
- 文献传递
- N-LDMOSFET的掺杂分布与热载流子效应
- 2012年
- 文章从MOSFET热载流子效应角度研究了N-LDMOSFET在不同的区域掺杂浓度条件下器件的最坏热载流子应力条件;在确定的器件工作条件下结合器件仿真结果,分析了在不同掺杂浓度下器件电特性退化的趋势;详细分析了导致器件退化趋势不同的原因,重点讨论了沟道掺杂和漂移区掺杂与器件热载流子效应关系,提出了N-LDNMOS中区域掺杂的优化策略。
- 罗扣陈军宁高珊张志伟
- 关键词：热载流子效应
- 一种基于10T-SRAM单元的电路结构、芯片及模块
- 本发明涉及一种基于10T‑SRAM单元的电路结构、芯片及模块。10T‑SRAM单元包括NMOS晶体管N0~N7和PMOS晶体管P0~P1，P0和N0构成一个反相器，P1和N1构成另一个反相器，两个反相器形成交叉耦合结构；...
- 戴成虎杜园园高珊彭春雨赵强卢文娟郝礼才刘立蔺智挺吴秀龙黎轩郑好
- 一种10T-SRAM单元及其数据读写方法、电路结构
- 本发明涉及一种10T‑SRAM单元及其数据读写方法、电路结构。10T‑SRAM单元包括NMOS晶体管N0～N7以及PMOS晶体管P0～P1。存储节点QB通过N2与字线WLL、位线BLB相连；存储节点Q通过N3与字线WLR...
- 戴成虎杜园园高珊彭春雨赵强卢文娟郝礼才刘立蔺智挺吴秀龙黎轩郑好
- 提高地址映射表中映射信息密度的方法
- 本发明公开了一种提高地址映射表中映射信息密度的方法，可以提高基于缓存部分映射信息的页映射方案中缓存映射表的命中率，提高闪存转换层的读写性能，在不增加位于内存中的缓存映射表里表项数量的前提下，将在逻辑地址和物理地址上都连续...
- 樊进彭春雨高珊李正平谭守标蔺智挺吴秀龙陈军宁徐超代月花
