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卢文娟
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182
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安徽大学
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彭春雨
安徽大学
吴秀龙
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蔺智挺
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陈军宁
安徽大学
赵强
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一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路
本发明公开了一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路,包括具有双字线的6T SRAM存储阵列、字线控制模块、模式选择模块、时序控制模块、预充模块、电流镜模块、开关模块和缓冲器模块,6T SRAM存储阵列分别与所述预充模...
蔺智挺
曹旭龙
占红兰
陈中伟
钮建超
吴秀龙
赵强
彭春雨
卢文娟
黎轩
陈军宁
文献传递
一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种读裕度增强型存储阵列,一种9T存算电路、一种乘累加运算电路、基于9Tsram的存内运算电路,以及基于9Tsram的CIM芯片。其中,9T存算电路包括基础的的6T存储单元和由额外的三...
吴秀龙
李子健
蔺智挺
彭春雨
卢文娟
一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路
本实用新型公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路,其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性,不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题,在...
卢文娟
董兰志
彭春雨
吴秀龙
蔺智挺
陈军宁
文献传递
一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路
本实用新型公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路,该电路包括:四个PMOS管P1~P4和八个NMOS管N1~N8;其中,NMOS管N1和PMOS管P1组成一个反相器A1,该反相器A1输入端接字线...
李正平
闫锦龙
卢文娟
陶有武
彭春雨
谭守标
陈军宁
周永亮
文献传递
具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路
本发明公开了一种具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路,单元的整体结构采用了读写分离的方式,单元电路的主体采用TFET器件,传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式,既克服了堆...
卢文娟
董兰志
彭春雨
吴秀龙
蔺智挺
陈军宁
文献传递
抗辐射锁存器电路、电子设备和航空器
本申请涉及一种抗辐射锁存器电路、电子设备和航空器,锁存器电路包括:存储模块;存储模块包括十个NMOS管和四个PMOS管以及六个存储节点。其中,第一存储节点、第二存储节点、第三存储节点、第四存储节点均由NMOS晶体管包围,...
彭春雨
李洋
赵强
郝礼才
刘天翔
卢文娟
蔺智挺
吴秀龙
一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构
本发明公开了一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构,所述电路包括N列6T SRAM单元组成的SRAM阵列、K个开关Sk构成的开关组、M个存储电容构成的存储电容组Cm;被乘数X的二进制位存储在同一行中...
蔺智挺
刘立
张劲
吴秀龙
彭春雨
卢文娟
赵强
陈军宁
文献传递
一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构
本发明公开了一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构,通过将被乘数与乘数分别存储在6T SRAM单元与WL内,被乘数的十进制数值由单元的6T SRAM WL开启时间决定,乘数数值的正负由左字线(WL Left,缩...
蔺智挺
张劲
赵强
吴秀龙
彭春雨
卢文娟
黎轩
陈军宁
文献传递
一种基于静态随机存储器内存内减法的电路结构
本发明公开了一种基于静态随机存储器内存内减法的电路结构,包括整体时序控制模块、行地址译码模块、列地址译码模块、SRAM存储阵列、字线选择模块和输出模块,整体时序控制模块与行地址译码模块、列地址译码模块、字线选择模块和输出...
蔺智挺
陈崇貌
吴秀龙
彭春雨
黎轩
卢文娟
谢军
欧阳春
黎力
一种串行双端复制位线电路
本发明公开了一种串行双端复制位线电路,当时钟信号有效时,由于时钟信号线CK直接连接到2N个放电单元RC的第一时钟信号端CK1上,因此与放电单元RC的第一位线信号端BL连接的第一复制位线RBL放电;随后,由于第一复制位线R...
彭春雨
李正平
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陶有武
卢文娟
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