陈军宁
- 作品数：18 被引量：28H指数：3
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：贵州省科学技术基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征被引量：2
- 1994年
- 本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．
- 黄庆安陈军宁张会珍童勤义
- 关键词：C-V特性
- 基于MCS-51的脱机扫描仪控制器
- 1997年
- 本文提出一种基于MCS－51的能脱机使用并控制多种手持式扫描仪的控制器的设计方法。该电路适用于各种常见的100-400DPI的手持式扫描仪，可完成对扫描仪的各种扫描控制，如30秒关机、拖动速率的判断、分辨率及灰度判断等，并且用RS232C与PC机进行通讯，完成对扫描图象数据的进一步显示、分析和处理，便于携带，便于进行现场的图象文字扫描处理。
- 张万鹏陈军宁童家榕唐璞山
- 关键词：计算机脱机扫描仪控制器
- 超薄膜SOI技术与亚微米VLSI
- 1991年
- 本文介绍了传统的体硅技术在亚微米VLSI中所遇到的限制,超薄膜SOI技术(Ultrathin Silicon-On-Insulator Technology)在小尺寸器件方面具有的特点和长处,讨论了它存在的问题。
- 陈军宁童勤义
- 关键词：VLSISOI技术微细加工
- 高性能双极型集成电路晶体管被引量：1
- 1993年
- 本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。
- 傅兴华陈军宁童勤义
- 关键词：双极集成电路异质结双极型晶体管
- 一种反求杂质浓度的数值方法——基于CV数据的逐点反求多次循环法被引量：6
- 1992年
- 根据CV数据用数值模拟反求杂质浓度时,遇到了不确定性问题。本文认为这实际上是用CV数据反求杂质浓度时的非单值性问题。针对数值方法的非单值性问题,本文提出了逐点反求多次循环的算法。本算法已成功地应用于分布陡峻的高斯离子注入分布及矩形阶跃分布,反求的杂质浓度分布与理论杂质浓度分布符合得很好。
- 傅兴华陈军宁
- 键合在绝缘体上硅的减薄方法
- 键合在绝缘体上硅的减薄方法，先将键合好的SOI硅片进行粗减薄，然后采用集成电路工艺形成欧姆接触，再加上形成耗尽层电压进行阳极腐蚀，腐蚀液为稀释氢氟酸，对于不需要腐蚀的部分，可用黑蜡或黑胶膜密封起来，腐蚀时可加磁搅拌，具有...
- 黄庆安张会珍陈军宁童勤义
- 文献传递
- SOI/SDB超薄膜全耗尽隐埋n沟MOSFET的解析模型
- 1993年
- 本文给出了基于SDB材料的无PN结超薄膜全耗尽隐埋n沟型MOSFET的较明确的物理模型,详细分析了它的导电机理,给出了解析表达式.并将本模型的计算结果与实验结果进行了比较,同时进行了一些讨论.
- 陈军宁童勤义
- 关键词：阈值电压
- 泊松方程数值解法的加速收敛法被引量：1
- 1993年
- 用数值方法对泊松方程求解时,往往要对迭代的中间结果作适当的压缩处理,以加快收敛速度和避免溢出.本文提出一种单一指数因子的非线性压缩法.一维数值模拟结果表明,平衡态时不必进行压缩处理.而在非平衡态时,最佳指数压缩因子的大小与杂质浓度有关.参考本文给出的数值计算结果,根据给定器件的杂质浓度分布,选定一最佳指数压缩因子,可以使泊松方程的数值求解过程具有最决的收敛速度.
- 陈军宁童勤义傅兴华杨健
- 关键词：泊松方程数值解法
- SOI／SDB硅片化学腐蚀自停止减薄方法被引量：1
- 1995年
- 本文提出了一种ＳＯＩ／ＳＤＢ硅片化学腐蚀自停止减薄方法，并进行了实验研究，成功地得到了厚度小于１μｍ的硅膜，讨论了存在的问题及今后努力方向。
- 陈军宁黄庆安童勤义
- 关键词：硅片SOISDB化学腐蚀半导体器件
- SDB硅片减薄、膜厚测量和新型器件的研究
- 陈军宁
