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张会珍

作品数：14 被引量：9H指数：2
供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信自然科学总论一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 10篇键合
  • 6篇直接键合
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇各向异性腐蚀
  • 3篇硅片
  • 3篇硅片直接键合
  • 2篇电极
  • 2篇电路工艺
  • 2篇阳极键合
  • 2篇振动陀螺
  • 2篇陀螺
  • 2篇微振动
  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇混合液
  • 2篇集成电路工艺
  • 2篇工艺线

机构

  • 14篇东南大学

作者

  • 14篇张会珍
  • 10篇黄庆安
  • 5篇秦明
  • 5篇童勤义
  • 3篇陈军宁
  • 2篇樊路加
  • 2篇谢世健
  • 2篇茅盘松
  • 2篇陈大金
  • 2篇祁雪
  • 1篇朱静远
  • 1篇吕世骥
  • 1篇詹娟
  • 1篇蔡士俊

传媒

  • 1篇传感器技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇第九届全国敏...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 4篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1988
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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直接键合硅集成微振动陀螺
直接键合硅集成微振动陀螺是一种用于精密测量角速率的半导体惯性传感器，它由集成双框架结构的硅片和玻璃电极组成，两者之间采用直接静电键合连接，硅集成双框架结构采用各向异性腐蚀成凹凸形结构，硅集成双框架结构与玻璃电极之间的间隙...
茅盘松张会珍
文献传递
硅片直接键合方法
硅片直接键合方法适用于硅片之间的直接化学键合，它将经过镜面抛光的硅片在H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>和H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>混合液中煮，再在稀HF溶液中漂，用去离子水...
张会珍童勤义秦明陈大金黄庆安
文献传递
MOS栅控横向晶闸管
MOS栅控横向晶闸管是一种新型结构的晶闸管。组成晶闸管的PNPN层为横向结构。采用MOS管和双极型晶体管复合构成，MOS管的漏区和双极型晶体管的基区为公用区。由于采用MOS管的栅控制晶闸管的导通，故可以用低压数字电路直接...
谢世健张会珍朱静远
文献传递
多位复合驱动器
多位复合驱动器属于半导体集成电路，它由若干个单元器件组成，每个单元器件都由一个MOS管作为输入端，一个双极晶体管作为输出端，具有体积小，功耗低的优点，不仅可以直接驱动步进电机或热敏头，而且可以直接与其它控制电路接口，有利...
詹娟张会珍蔡士俊谢世健
文献传递
双面保护硅集成微振动陀螺
双面保护硅集成微振动陀螺是一种用于角速率精密测量的半导体惯性传感器，它由集成双框架结构的硅片和玻璃电极组成，两者之间采用直接静电键合连接，硅片采用两种晶向不同的硅片直接键合构成，其中一层构成双框架结构，另一层为保护层并与...
茅盘松张会珍
文献传递
硅各向异性腐蚀制备尖端发射阴极的凸角补偿被引量：1
1992年
本文分析了用各向异性腐蚀剂EPW制备硅尖端发射阴极的凸角腐蚀问题,指出正方形膜沿<110>方向腐蚀出的尖端顶部侧面并非{111}面,而是{212}面.提出正方掩膜沿<210>方向对准的新方法.这种对准方法无凸角腐蚀、光刻工艺容易实现.
黄庆安张会珍秦明陈军宁童勤义
关键词：硅凸角补偿
硅直接键合局部应变的X—射线双晶衍射研究被引量：2
1994年
硅直接键合工艺(SDB)自1986年Shimbo提出以来,日益受到国内外的重视。SDB与IC工艺兼容且具灵活的优点,为硅传感器提供了一种新的加工手段。对力学量传感器而言,传感原理是通过外加负载在硅中产生应变,而硅直接键合工艺是否引入新的应变。
黄庆安张会珍陈军宁童勤义
关键词：硅传感器硅直接键合
单片集成传感器中的阳极键合封装技术
本文分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以...
祁雪黄庆安秦明张会珍樊路加
关键词：单片集成传感器阳极键合封装电路保护
文献传递
硅／硅直接键合应力的Raman谱研究被引量：5
1994年
介绍了Ｒａｍａｎ谱测试硅片微区应力的方法．用Ｒａｍａｎ谱研究了硅／硅直接键合工艺引入的应力，测试结果表明，高温键合后，硅片表面存在局部的张应力或压应力．应力值最高达７．５×１０￣３Ｎ／ｃｍ￣２．高温退火，应力略有降低．
黄庆安张会珍陈军宁童勤义
关键词：应力散射谱硅键合
键合在绝缘体上硅的减薄方法
键合在绝缘体上硅的减薄方法，先将键合好的SOI硅片进行粗减薄，然后采用集成电路工艺形成欧姆接触，再加上形成耗尽层电压进行阳极腐蚀，腐蚀液为稀释氢氟酸，对于不需要腐蚀的部分，可用黑蜡或黑胶膜密封起来，腐蚀时可加磁搅拌，具有...
黄庆安张会珍陈军宁童勤义
文献传递
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