孔德平
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：东南大学电子科学与工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体放电器件被引量：2
- 1997年
- 介绍了一种新颖的过压保护固体器件的工作原理。
- 孔德平
- 关键词：过压保护程控交换机
- 硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究被引量：4
- 1990年
- 本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。
- 詹娟刘光廷孔德平
- 关键词：功率晶体管直接键合SDB
- 高压台面功率晶体管的工艺分析被引量：2
- 1991年
- 本文给出了高压台面功率晶体管工艺分析,不仅为器件的工艺设计提供了依据,而且明确地指出了影响器件制造成品率的主要因素。
- 孔德平周荣勋
- 关键词：功率晶体管
- 制造高压器件的容差阶梯台面腐蚀技术
- 1992年
- 本文介绍一种新型的高压器件表面造型技术,即容差阶梯台面腐蚀技术。它是在耗尽刻蚀的基础上发展起来的。它利用耗尽刻蚀克服电场集中和表面效应的机理,采用常规工艺,通过两次基区扩散、两次台面腐蚀形成阶梯结和阶梯台面,降低耗尽刻蚀对腐蚀深度的控制要求,使器件具有小角度负斜角的优良特性,同时采用内台面结构,便于玻璃钝化,使器件具有高性能和高可靠性。
- 姚凤兵孔德平
- 关键词：高压器件
- 设计GTR的基本考虑
- 1992年
- 本文给出了GTR的性能分析和基本的设计考虑,为器件的设计和制造提供正确的原则和方法。
- 孔德平董伯洪
- 关键词：晶体管
- 设计GTO的基本考虑
- 1994年
- 本文从ＧＴＯ的主要局限出发，给出设计ＧＴＯ的基本考虑，为器件的设计和制造提供正确的原则和方法。
- 孔德平张本袁
- 关键词：晶闸管可关断晶闸管GTO
- 高灵敏触发晶闸管的设计和制造被引量：1
- 1991年
- 本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。
- 孔德平王锡祺潘余健
- 关键词：触发晶闸管
- 结构改进的高压VDMOS功率晶体管
- 1991年
- 本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
- 孔德平张本袁王锡祺潘余健
- 关键词：功率晶体管晶体管
