杨香
- 作品数：45 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- GaN场效应晶体管
- 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺...
- 杨军贾利芳樊中朝何志杨香王晓东杨富华
- 一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法
- 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC...
- 刘胜北何志刘兴昉刘敏杨香樊中朝王晓峰王晓东赵有梅杨富华孙国胜曾一平
- 4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀被引量：4
- 2015年
- 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。
- 王进泽杨香钮应喜杨霏何志刘胜北颜伟刘敏王晓东杨富华
- 关键词：刻蚀速率
- 一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法
- 一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法。包括步骤1：确定待测的沟槽MOS结构与预先制备的两组沟槽MOS结构的总电容‑电压曲线，总电容包括沟槽底部，沟槽顶部台面及沟槽侧壁对应的分支电容；一组沟槽MOS结构与待测的沟槽MOS...
- 郭志煜田润武靖敏王风旋杨香樊中朝杨富华
- 文献传递
- SOI纳米结构晶体管的制备与研究
- 经过半个世纪的发展，MOSFET器件的集成度越来越高，功能越来越强，工业化生产的单元特征尺寸已到45纳米，几年以后将达到它的经典极限，国际上研究新型纳米材料和器件的工作已有诸多报道和成果。在众多的新型器件中，硅纳米结构晶...
- 杨香
- 关键词：硅纳米晶
- 半导体晶体管结构及其制造方法
- 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一...
- 张严波韩伟华杜彦东李小明陈艳坤杨香杨富华
- 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
- 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电...
- 韩伟华熊莹赵凯杨香张严波王颖杨富华
- 基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法
- 本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对...
- 付英春周亚玲王晓峰杨富华马刘红杨香王晓东
- 文献传递
- 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法
- 本发明公开了一种具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法，所述结构在N<Sup>+</Sup>衬底上形成有N<Sup>-</Sup>漂移区，在该N<Sup>-</Sup>漂移区的上方形成有P型基极区和...
- 王进泽杨香颜伟刘胜北赵继聪何志王晓东杨富华
- 文献传递
- 垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法
- 本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺...
- 付英春王晓峰周亚玲杨富华马刘红杨香王晓东
