何志
- 作品数：30 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- GaN场效应晶体管
- 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺...
- 杨军贾利芳樊中朝何志杨香王晓东杨富华
- 一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法
- 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC...
- 刘胜北何志刘兴昉刘敏杨香樊中朝王晓峰王晓东赵有梅杨富华孙国胜曾一平
- 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
- 贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
- 4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀被引量：4
- 2015年
- 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。
- 王进泽杨香钮应喜杨霏何志刘胜北颜伟刘敏王晓东杨富华
- 关键词：刻蚀速率
- 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法
- 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第...
- 赵永梅何志季安王晓峰黄亚军潘岭峰樊中朝王晓东杨富华
- 文献传递
- 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
- 本发明公开了一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法。所述制作方法包括：提供SiC晶圆材料，并对所述SiC晶圆表面进行清洁；在所述SiC晶圆表面上淀积欧姆接触金属Ni；在所述欧姆接触金属Ni上面淀积TiW合金；对欧姆接触进行高...
- 刘胜北何志刘斌杨香刘兴昉张峰王雷田丽欣刘敏申占伟赵万顺樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
- 文献传递
- GaN基SBD功率器件研究进展被引量：6
- 2014年
- 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN SBD和基于AlGaN/GaN异质结界面特性的GaN异质结SBD。根据器件结构对开启电压的影响,对不同阳极结构器件进行了详细的介绍。阐述了不同的肖特基金属的电学特性和热稳定性。分析了表面处理,包括表面清洗、表面等离子体处理和表面钝化对器件漏电流的影响。介绍了终端保护技术,尤其是场板技术对击穿电压的影响。最后探讨了GaN基SBD功率器件未来的发展趋势。
- 李迪贾利芳何志樊中朝王晓东杨富华
- 关键词：氮化镓功率器件等离子体处理
- 一种H<Sub>2</Sub>微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
- 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四...
- 刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
- 文献传递
- 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
- 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述...
- 刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
- 文献传递
- 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法
- 一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳...
- 赵永梅何志季安刘胜北黄亚军杨香段瑞飞张明亮王晓东杨富华
- 文献传递
