2024年7月5日
星期五
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
樊中朝
作品数:
68
被引量:105
H指数:5
供职机构:
中国科学院半导体研究所
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
国家高技术研究发展计划
更多>>
相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
更多>>
合作作者
杨富华
中国科学院半导体研究所
王晓东
中国科学院半导体研究所
何志
中国科学院半导体研究所
余金中
中国科学院半导体研究所
陈少武
中国科学院半导体研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
36篇
专利
22篇
期刊文章
7篇
会议论文
2篇
科技成果
1篇
学位论文
领域
35篇
电子电信
2篇
一般工业技术
2篇
理学
主题
23篇
刻蚀
13篇
波导
10篇
碳化硅
10篇
干法刻蚀
9篇
光波
9篇
SOI
8篇
发光
7篇
耦合器
7篇
肖特基
7篇
二极管
7篇
衬底
6篇
氮化
6篇
多模
6篇
多模干涉
6篇
多模干涉耦合...
6篇
掩膜
6篇
势垒
6篇
脊形
6篇
光刻
6篇
GAN
机构
63篇
中国科学院
5篇
北方交通大学
1篇
北京大学
1篇
天津理工学院
1篇
中国科学院长...
1篇
全球能源互联...
作者
68篇
樊中朝
28篇
杨富华
22篇
王晓东
20篇
何志
17篇
余金中
17篇
陈少武
14篇
杨香
10篇
贾利芳
9篇
曾一平
8篇
孙国胜
8篇
王章涛
7篇
刘兴昉
7篇
刘志强
7篇
刘胜北
7篇
季安
7篇
赵永梅
7篇
夏金松
6篇
黄亚军
6篇
李迪
5篇
陈媛媛
传媒
6篇
Journa...
3篇
光电子.激光
3篇
微纳电子技术
2篇
物理学报
2篇
第十四届全国...
1篇
半导体技术
1篇
物理
1篇
红外与毫米波...
1篇
光子学报
1篇
中国科学(E...
1篇
光散射学报
1篇
微细加工技术
1篇
智能电网
1篇
第二届全国有...
1篇
第十二届全国...
1篇
第十三届全国...
1篇
展望21世纪...
年份
1篇
2024
2篇
2023
4篇
2022
1篇
2020
1篇
2019
2篇
2018
4篇
2017
2篇
2016
6篇
2015
4篇
2014
3篇
2013
3篇
2012
3篇
2011
3篇
2010
3篇
2009
2篇
2007
4篇
2006
5篇
2005
7篇
2004
3篇
2003
共
68
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
GaN场效应晶体管
本发明公开了一种GaN场效应晶体管,包括衬底;外延层,外延层设置有源极、漏极,以及靠近源极的外延槽;栅极结构,设置于外延槽内,栅极结构包括:重掺杂p‑GaN层,沉积于外延槽底部,用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道;轻掺...
杨军
贾利芳
樊中朝
何志
杨香
王晓东
杨富华
一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法
本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法,首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀,以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽,然后在沟槽中外延生长碳化硅,以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构,在SiC...
刘胜北
何志
刘兴昉
刘敏
杨香
樊中朝
王晓峰
王晓东
赵有梅
杨富华
孙国胜
曾一平
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件,该HEMT器件包括:GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上;高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域;第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域;第三...
贾利芳
何志
刘志强
李迪
樊中朝
程哲
梁亚楠
王晓东
杨富华
有机发光材料的电场调制光谱的研究
侯延冰
樊中朝
苏艳梅
陈晓红
关键词:
发光材料
发光特性
荧光光谱
发光动力学
文献传递
衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法
本公开提供一种衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法,包括:在衬底上沉积硬掩模;在沉积有硬掩模的衬底上涂覆光刻胶,利用所述光刻胶对所述衬底进行光刻;将光刻后的衬底置于斜台上,再将承载有衬底的斜台放置于法拉第笼中进行干法刻蚀,以...
刘庆
杨富华
樊中朝
刘雯
王晓东
一种H<Sub>2</Sub>微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法,其包括:步骤一:清洗需要碳化硅晶片;步骤二:将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内;步骤三:将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度,通入氢气或氢气混合气体,进行微刻蚀过程;步骤四...
刘胜北
何志
刘斌
刘兴昉
杨香
樊中朝
王晓峰
王晓东
赵永梅
杨富华
孙国胜
曾一平
文献传递
一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法
本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法,其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物,将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括:在第一硅片上制备薄膜层,在第...
赵永梅
何志
季安
王晓峰
黄亚军
潘岭峰
樊中朝
王晓东
杨富华
文献传递
感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究
被引量:8
2007年
为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于Cl2/BCl3气体的感应耦合等离子体刻蚀.从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理,发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀,平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动,从而在近203V偏压下得到陡直的侧壁.在优化气体组分后,成功实现了光子晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀.
马小涛
郑婉华
任刚
樊中朝
陈良惠
关键词:
光子晶体
感应耦合等离子体
高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法,包括:步骤1:在衬底上制备氮化镓外延片;步骤2:在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜;步骤3:采用不同图形面积光刻版进行光刻,将第二层掩膜的两侧刻蚀掉,使第二层掩膜的面积小...
黄亚军
樊中朝
刘志强
伊晓燕
季安
王军喜
SOI热光4×4光开关阵列的研制(英文)
被引量:5
2004年
设计和制作了由 5个 2× 2多模干涉马赫 -曾德开关元组成的重排无阻塞型 SOI 4× 4热光开关阵列 .阵列的最小和最大附加损耗分别为 6 .6和 10 .4 d B,阵列的串扰为 - 12~ - 19.8d B,光开关阵列的开关速度小于 30μs,单个开关元的功耗大约为 330 m W.
王章涛
樊中朝
夏金松
陈少武
余金中
关键词:
集成光学
开关阵列
光开关
全选
清除
导出
共7页
<
1
2
3
4
5
6
7
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张