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韩伟华

作品数:99 被引量:83H指数:5
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 65篇专利
  • 30篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 41篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 42篇纳米
  • 31篇晶体管
  • 30篇纳米线
  • 22篇硅基
  • 17篇硅纳米线
  • 17篇衬底
  • 13篇电极
  • 12篇量子
  • 10篇硅衬底
  • 9篇电导
  • 9篇源区
  • 9篇沟道
  • 8篇电路
  • 8篇神经元电路
  • 8篇金属
  • 8篇半导体
  • 8篇
  • 7篇光子
  • 7篇波导
  • 6篇栅电极

机构

  • 99篇中国科学院
  • 5篇中国科学院大...
  • 1篇北海道大学
  • 1篇山东大学

作者

  • 99篇韩伟华
  • 71篇杨富华
  • 16篇张严波
  • 16篇杨香
  • 13篇洪文婷
  • 11篇余金中
  • 11篇杜彦东
  • 10篇熊莹
  • 10篇王昊
  • 10篇李小明
  • 9篇吕奇峰
  • 8篇颜伟
  • 7篇陈燕坤
  • 6篇马刘红
  • 6篇张杨
  • 6篇王颖
  • 6篇李兆峰
  • 5篇赵凯
  • 5篇王晓东
  • 4篇杨晓光

传媒

  • 10篇微纳电子技术
  • 6篇Journa...
  • 4篇半导体光电
  • 2篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇飞通光电子技...
  • 1篇物理
  • 1篇光学学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇光电技术应用
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  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 7篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 7篇2015
  • 3篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 11篇2011
  • 5篇2010
  • 7篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2002
  • 7篇2001
99 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
神经元晶体管及其制备方法
本发明公开了一种神经元晶体管,包括:衬底,衬底形成有沟道区、源区和漏区,源区和漏区分别设置在沟道区的两端;分别形成在源区和漏区上的源电极和漏电极;第一栅介质层,覆盖在沟道区上;多个相变内栅,设置在第一栅介质层上,每个相变...
葛延栋韩伟华陈俊东张晓迪郭仰岩
硅基键合激光器的研究进展被引量:5
2000年
硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类 ,异质结外延生长和异质材料键合。键合方法克服了异质结外延生长不可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点 ,它可以将具有直接带隙结构的半导体材料(如Ⅲ -Ⅴ族材料 )键合到硅片上 ,从而制作出硅基键合激光器件。特别是近年来发展起来的低温 (小于 50 0℃ )直接键合技术 ,使发光器件与微电子器件的硅基混合光电集成成为可能。
韩伟华余金中王启明
关键词:半导体激光器
SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构被引量:13
2001年
用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅 )及GeSi Si脊形光波导的单模条件进行了模拟 ,与Soref的单模条件进行了比较 ,将两者与实验结果进行了比较 ,得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟 。
魏红振余金中张小峰韩伟华刘忠立王启明史伟房昌水
关键词:集成光学脊形光波导SOIGESI/SI
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面,在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构,从...
韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
文献传递
一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法
本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法,该方法包括:利用树突电路实现权值的空间分布控制;利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系;以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的...
韩伟华熊莹张严波赵凯杨富华
文献传递
硅纳米线界面态的化学钝化方法概述
2018年
分析了界面态对硅无结纳米线晶体管(JNT)亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响。化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸(HF)腐蚀钝化和各向异性的四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀钝化。HF钝化方法以氢饱和硅表面悬挂键来减少其表面界面态,TMAH钝化方法则通过各向异性腐蚀形成Si—O键。化学处理后得到了光滑的硅纳米线晶面表面结构,从而有效地抑制界面态对电导率的影响,使器件达到理想的亚阈值摆幅。研究结果表明,利用化学腐蚀钝化方法优化界面态,能够有效改善硅纳米线晶体管的性能。
窦亚梅韩伟华杨富华
关键词:电导率界面态化学处理
一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法
本发明公开了一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器,包括在SOI衬底的顶层硅上,制备了一个用于存储电荷的硅纳米晶库仑岛,以及一个用于探测存储电荷的硅量子线电导。硅纳米晶库仑岛与硅量子线电导相邻,共同由覆盖在表面的浮栅控制...
韩伟华杨香吴南健
文献传递
基于脉冲耦合神经网络模型的CMOS神经元电路
本文从生物神经元电化学特性出发,结合积分发放(IF)电路模型和脉冲耦合神经网络(PCNN)理论模型框架,提出了一种新型的脉冲耦合CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串。该神经元电路用并联的电容和CMOS晶体管...
熊莹韩伟华赵凯张严波杨香杨富华
关键词:脉冲耦合频率可调金属氧化物半导体电化学特性
文献传递
聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法
一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池,包括:一Al/Si合金背电极;一p<Sup>+</Sup>背接触层,位于Al/Si合金背电极的上面;一p型晶硅材料层,位于p<Sup>+</Sup>背接触层的上面;一n<Sup>+</...
韩伟华陈艳坤李小明杨富华
硅基单电子神经元量子电路
一种硅基单电子神经元量子电路,该电路包括:一单电子突触电路单元,由围栅型硅基单电子器件实现权值的存储,对并行输入的信号进行加权求和;一单电子阈值门限电路单元,该单电子阈值门限电路单元的输入端与单电子突触电路单元的求和节点...
韩伟华
文献传递
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