张严波
- 作品数：16 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 硅基太阳电池的表面纳米织构及制备被引量：1
- 2012年
- 综述了用于硅基太阳电池高效陷光的四种表面纳米织构,即金属纳米颗粒、纳米线、纳米锥和纳米孔。相对于其他三种表面纳米织构,纳米孔具有更好的结构特性和陷光能力。详细介绍了各种表面纳米织构的制备方法,如金属薄膜退火、金属诱导化学腐蚀、干法刻蚀、深紫外光刻和纳米球光刻等。通过表面纳米织构提高效率是太阳电池领域的重点研究内容。表面纳米织构以其优异的光电特性,将在未来高效光伏器件中得到重要应用。
- 陈燕坤韩伟华张严波徐锐王晓东李小明杨富华
- 关键词：金属纳米颗粒纳米线纳米孔
- 一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现被引量：3
- 2011年
- 从生物神经元的电化学特性出发,基于积分发放(I&F)电路理论模型,提出了一种新型的结构紧凑的脉冲编码CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串。该模型的优点在于大大简化了模型结构,其运行结果很好地拟合了神经元的生理特性,且在工艺参数不可调节的情况下,可通过输入信号灵活控制电路结构,改变输入耦合权重,从而实现对输入信号的脉冲编码。HSPICE仿真结果表明,该电路可以通过输出脉冲串频率实现对多端输入的二进制方波信号的权重识别,在自适应耦合调整的信息传递,图像识别神经网络构建和信号调制方面具有很大的应用前景。
- 熊莹韩伟华张严波杨富华
- 关键词：脉冲编码神经元HSPICE频率可调
- 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法
- 本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法，该方法包括：利用树突电路实现权值的空间分布控制；利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系；以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的...
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- 文献传递
- 基于脉冲耦合神经网络模型的CMOS神经元电路
- 本文从生物神经元电化学特性出发，结合积分发放（IF）电路模型和脉冲耦合神经网络（PCNN）理论模型框架，提出了一种新型的脉冲耦合CMOS神经元电路，模仿神经元细胞体输出连续脉冲串。该神经元电路用并联的电容和CMOS晶体管...
- 熊莹韩伟华赵凯张严波杨香杨富华
- 关键词：脉冲耦合频率可调金属氧化物半导体电化学特性
- 文献传递
- 半导体晶体管结构及其制造方法
- 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一...
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- 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
- 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电...
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- 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法
- 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器，包括：一硅衬底；一氧化硅层，该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构，该工形台面结构制作在氧化硅层上，该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极，该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线...
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- 文献传递
- 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量：4
- 2011年
- 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
- 杜彦东韩伟华颜伟张严波熊莹张仁平杨富华
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管增强型
- Si纳米线场效应晶体管研究进展被引量：3
- 2009年
- 从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施。最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望。
- 张严波熊莹杨香韩伟华杨富华
- 关键词：纳米线场效应晶体管短沟道效应
- 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成...
- 李小明韩伟华张严波颜伟杜彦东陈燕坤杨富华
- 文献传递
