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蔡芳芳

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米棒
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 1篇形貌
  • 1篇英文
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇静置
  • 1篇及物性
  • 1篇硅衬底
  • 1篇高结晶
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇蔡芳芳
  • 2篇刘祥林
  • 2篇张攀峰
  • 2篇范海波
  • 1篇杨安丽
  • 1篇魏鸿源

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
氧化锌材料的MOCVD生长及物性研究
第三代宽禁带半导体材料氧化锌(ZnO)，是近年来继GaN以后光电领域新的研究热点。ZnO在室温下的禁带宽度为3.37eV，室温下激子束缚能高达60meV，具有很好的热稳定性和化学稳定性。这些优良的光电性质及物理性质使Zn...
蔡芳芳
载气流量对氧化锌纳米棒阵列的影响(英文)
2008年
本文研究了在金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长过程中,锌(Zn)源和氧(O)源载气流量的改变对ZnO纳米棒阵列的影响。通过改变源材料载气的流量,得到了直径从150nm到20nm范围、均一性明显改善的ZnO纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射图谱(XRD),拉曼光谱(Raman)和光致荧光光谱(PL)等测试手段对样品的形貌结构和光学特性进行了表征。SEM和XRD结果表明当Zn源和O源的载气流量均为1SLM时,所得的纳米棒直径最均匀,排列整齐,垂直于衬底生长,且结晶度最好。PL谱显示纳米棒的紫外带边峰发生了蓝移,可能与表面效应的增加有关。
蔡芳芳魏鸿源范海波杨安丽张攀峰刘祥林
关键词：氧化锌纳米棒MOCVD形貌
利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法
一种利用p型掺杂的硅为衬底生长氧化锌纳米棒的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选取一硅衬底；步骤2：在硅衬底(111)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法生长氧化锌纳米棒；步骤3：将得到的氧化锌纳米棒样品静置在反...
蔡芳芳范海波张攀峰刘祥林
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