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范海波

作品数:16 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 11篇衬底
  • 8篇协变
  • 5篇氧化锌薄膜
  • 4篇硅基
  • 3篇单晶
  • 3篇氧化锌纳米
  • 3篇氧化锌纳米棒
  • 3篇中间层
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米棒
  • 3篇晶格
  • 3篇晶格失配
  • 3篇硅单晶
  • 3篇薄膜制备技术
  • 3篇
  • 3篇衬底材料
  • 2篇导热
  • 2篇氧化锌
  • 2篇生长温度
  • 2篇晶面

机构

  • 16篇中国科学院

作者

  • 16篇范海波
  • 13篇杨少延
  • 11篇王占国
  • 9篇陈涌海
  • 8篇李成明
  • 7篇刘祥林
  • 7篇张攀峰
  • 4篇魏鸿源
  • 3篇朱勤生
  • 2篇魏宏源
  • 2篇焦春美
  • 2篇蔡芳芳
  • 2篇张晓沛
  • 2篇董向芸
  • 2篇赵凤瑷
  • 2篇丛光伟
  • 1篇刘志凯
  • 1篇杨安丽
  • 1篇杨霏

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
一种制备氧化锌薄膜材料的方法,特别是指一种利用SOI可协变衬底,采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底;步骤2:将溅射靶材装...
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
文献传递
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
一种制备氧化锌薄膜材料的方法,特别是指一种利用SOI可协变衬底,采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底;步骤2:将溅射靶材装...
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
文献传递
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
一种具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底,其特征在于,包括如下几部分:一常规SOI可协变衬底,包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层,顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层;...
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
文献传递
不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响被引量:1
2007年
在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO薄膜,其(1012)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10.
张攀峰魏鸿源范海波丛光伟杨少延朱勤生刘祥林
关键词:ZNO蓝宝石XRDSEM
Si基ZnO材料MOCVD生长及物性研究
ZnO因其优异的光学性能及其它明显优势而被认为是GaN的潜在替代材料,在近年来日渐受到人们的广泛关注。目前ZnO通常生长在蓝宝石衬底上,而Si衬底与之相比具有成本低、散热好、工艺成熟、易于集成等优点。本论文主要以在Si衬...
范海波
载气流量对氧化锌纳米棒阵列的影响(英文)
2008年
本文研究了在金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长过程中,锌(Zn)源和氧(O)源载气流量的改变对ZnO纳米棒阵列的影响。通过改变源材料载气的流量,得到了直径从150nm到20nm范围、均一性明显改善的ZnO纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射图谱(XRD),拉曼光谱(Raman)和光致荧光光谱(PL)等测试手段对样品的形貌结构和光学特性进行了表征。SEM和XRD结果表明当Zn源和O源的载气流量均为1SLM时,所得的纳米棒直径最均匀,排列整齐,垂直于衬底生长,且结晶度最好。PL谱显示纳米棒的紫外带边峰发生了蓝移,可能与表面效应的增加有关。
蔡芳芳魏鸿源范海波杨安丽张攀峰刘祥林
关键词:氧化锌纳米棒MOCVD形貌
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
一种具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底,其特征在于,包括如下几部分:一常规SOI可协变衬底,包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层,顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层;...
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
文献传递
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置,包括:衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度,而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区,...
杨少延刘祥林赵凤瑷焦春美董向芸张晓沛范海波魏宏源张攀峰王占国
文献传递
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域,公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料,该材料包括:一硅单晶衬底,用于支撑整个硅基可协变衬底材料;一薄金属铪可协变层,该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上,...
杨少延范海波李成明陈涌海王占国
文献传递
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置,包括:衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度,而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区,...
杨少延刘祥林赵凤瑷焦春美董向芸张晓沛范海波魏宏源张攀峰王占国
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