王占国
- 作品数：699 被引量：670H指数：12
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 应变补偿型量子级联探测器
- 本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器，包括：衬底；下接触层，外延生长于衬底之上；周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；下接触电极，位于刻...
- 黎昆刘舒曼朱怡璇刘俊岐翟慎强王利军张锦川卓宁刘峰奇王占国
- 文献传递
- 有效折射率微扰法研究单缺陷光子晶体平板微腔的性质
- 2012年
- 应用有效折射率微扰法结合二维/三维平面波方法研究了施主和受主缺陷型H1微腔的性质,使用修正后的有效折射率可以准确地计算微腔的腔模频率,与三维全矢量时域有限差分法的计算结果很相近.对于施主型H1微腔,以介质带边为匹配标准修正的有效折射率计算的微腔腔模频率误差最小,而对于受主型H1微腔,匹配标准则应设置为中间带.有效折射率微扰法既可以将计算的维度从三维降到二维,大大减少计算所需的计算机内存和时间,又可以保持计算结果的准确性,这对于光子晶体微腔的广泛应用具有非常重要的价值.
- 周文飞叶小玲徐波张世著王占国
- 关键词：有效折射率
- 基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法
- 本发明提供一种石墨烯制备方法，包括：对SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成原子台阶状表面；将氢刻蚀后的SiC衬底置于反应室中，通入惰性气体，在SiC衬底硅面上制备碳原子缓冲层；将形成有碳原子缓冲层的SiC衬底置于微波等离子体化...
- 郁万成金鹏王占国
- 文献传递
- 应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究被引量：3
- 2003年
- 利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。
- 金鹏李成明张子旸孟宪权徐波刘峰奇王占国李乙钢张存洲潘士宏
- 关键词：应变层
- 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
- 本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断...
- 姚丹阳张锦川周予虹贾志伟闫方亮王利军刘俊岐刘峰奇王占国
- 文献传递
- 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器
- 本发明公开了一种复合构型可调谐光栅外腔双模激光器，其包括：增益器件、透镜、光栅、平面镜，其中增益器件一侧端面发出的光经透镜准直后入射到光栅表面(入射角为θ)而发生衍射，其波长分别为λ1和λ2的两束衍射光分别沿下述两种路径...
- 金鹏魏恒吴艳华陈红梅王占国
- 文献传递
- 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国
- 关键词：氮化铟位错局域态
- 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
- 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间...
- 张志成杨少延黎大兵陈涌海朱勤生王占国
- 文献传递
- 一种制作白光发光二极管的方法
- 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长氮化镓基材料作为下一步的衬底；(2)对氮化镓基材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层氮化镓基量子点作为诱导层；(4)...
- 陈振韩培德陆大成刘祥林王晓晖朱勤生王占国
- 文献传递
- 一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法
- 本发明涉及半导体晶片测量技术领域，特别是一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法。该方法利用了偏振调制光谱技术，通过测量材料表面内相互垂直的两个方向上反射系数的各向异性光谱，根据光谱中在带隙能量或者其它临界点能量附近处的各向...
- 陈涌海王占国
- 文献传递
