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金鹏

作品数:129 被引量:69H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 79篇专利
  • 32篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 4篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 44篇电子电信
  • 18篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇机械工程
  • 3篇文化科学
  • 1篇生物学
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 51篇量子
  • 46篇量子点
  • 25篇激光
  • 24篇分子束
  • 24篇分子束外延
  • 23篇发光
  • 22篇激光器
  • 21篇半导体
  • 19篇衬底
  • 13篇辐射发光
  • 12篇光谱
  • 11篇砷化铟
  • 10篇砷化镓
  • 10篇量子点材料
  • 10篇化学气相
  • 9篇导体
  • 8篇等离子体化学...
  • 8篇外腔
  • 8篇量子点激光器
  • 8篇化学气相沉积

机构

  • 123篇中国科学院
  • 10篇南开大学
  • 2篇北京航天控制...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇天津师范大学
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 129篇金鹏
  • 117篇王占国
  • 14篇吴巨
  • 13篇刘峰奇
  • 12篇陈涌海
  • 10篇刘宁
  • 9篇李新坤
  • 7篇于理科
  • 7篇魏恒
  • 7篇赵昶
  • 7篇曲胜春
  • 7篇叶小玲
  • 6篇张子旸
  • 6篇孟宪权
  • 6篇吕雪芹
  • 6篇张秀兰
  • 6篇张春玲
  • 6篇王飞飞
  • 6篇吴艳华
  • 6篇郁万成

传媒

  • 11篇微纳电子技术
  • 7篇Journa...
  • 6篇第十二届全国...
  • 4篇发光学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇金属学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇中国科学院院...
  • 1篇光散射学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国科学:信...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 7篇2012
  • 8篇2011
  • 10篇2010
  • 10篇2009
  • 13篇2008
  • 9篇2007
  • 4篇2006
  • 5篇2005
129 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管
一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管,其中包括:一上限制层;一上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面;一自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面;一下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面;一下限制层制作在下...
张子旸王占国徐波金鹏刘峰奇
文献传递
大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管被引量:3
2016年
为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺对超辐射发光管器件性能的影响。在1.6A脉冲电流注入下,湿法腐蚀制备的器件峰值输出功率仅为7mW。与湿法腐蚀相比,干法刻蚀可以精确控制波导形状和参数,降低波导损耗,有效增大器件输出功率。
王飞飞李新坤梁德春金鹏王占国
关键词:超辐射发光管自组织量子点干法刻蚀
用于微波等离子体化学气相沉积设备的组合式衬底基座
一种用于微波等离子体化学气相沉积设备的组合式衬底基座,包括托盘主体,呈一圆盘结构,该圆盘外侧边上具有外螺纹,所述圆盘中心具有一凹槽;外边缘部件,呈一圆环结构,所述圆环内侧边上具有与所述外螺纹配套的内螺纹,外环部件通过配套...
付方彬金鹏王占国
文献传递
1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
本发明涉及半导体激光器技术领域,提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构,以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层...
于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
文献传递
半导体测试装置及方法
本发明公开了一种半导体测试装置及方法,半导体测试装置包括激光器、电源、第一金属片及第二金属片,第一金属片与第二金属片相对设置,用以将待测半导体夹设于第一金属片和第二金属片之间。第一金属片设置有电流输出端,第二金属片接地,...
张烨陈亚男金鹏郁万成王占国
文献传递
基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法
本发明提供一种石墨烯制备方法,包括:对SiC衬底硅面进行氢刻蚀,形成原子台阶状表面;将氢刻蚀后的SiC衬底置于反应室中,通入惰性气体,在SiC衬底硅面上制备碳原子缓冲层;将形成有碳原子缓冲层的SiC衬底置于微波等离子体化...
郁万成金鹏王占国
文献传递
应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究被引量:3
2003年
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。
金鹏李成明张子旸孟宪权徐波刘峰奇王占国李乙钢张存洲潘士宏
关键词:应变层
复合构型可调谐光栅外腔双模激光器
本发明公开了一种复合构型可调谐光栅外腔双模激光器,其包括:增益器件、透镜、光栅、平面镜,其中增益器件一侧端面发出的光经透镜准直后入射到光栅表面(入射角为θ)而发生衍射,其波长分别为λ1和λ2的两束衍射光分别沿下述两种路径...
金鹏魏恒吴艳华陈红梅王占国
文献传递
宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法,包括如下步骤:在衬底上制备砷化镓缓冲层,该缓冲层是下述有源区的下势垒层;在砷化镓缓冲层上制备有源区,该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分,为该材料...
刘宁金鹏王占国
文献传递
自组装半导体量子点的电子学性质研究进展被引量:2
2005年
自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析.
孙捷金鹏王占国
关键词:量子尺寸效应纳米电子器件
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