刘峰奇
- 作品数：254 被引量：131H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
- 一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；...
- 车晓玲刘峰奇黄秀颀雷文刘俊岐路秀真
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- 基于量子级联激光器的二氧化碳同位素光声光谱检测装置
- 本实用新型公开了一种基于量子级联激光器的二氧化碳同位素光声光谱检测装置，包括量子级联激光器(1)、激光器驱动模块(2)、锁相放大模块(3)、麦克风(4)、数据采集处理模块(5)和光声池(6)。本实用新型将量子级联激光器结...
- 翟慎强刘峰奇王占国
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- 用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法
- 本发明公开了一种用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法，该方法包括：半导体衬底的清洗；旋涂光刻胶；光刻胶的前烘焙；在双光束全息系统中多次交叉曝光；显影；光刻胶的后烘焙；半导体衬底的各向同性腐蚀；除去光刻胶。本发...
- 陆全勇张伟王利军刘峰奇
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- 脊形波导量子级联激光器的制作方法
- 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形...
- 路秀真常秀兰胡颖刘峰奇王占国
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- 光栅分布反馈量子级联激光器
- 本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，...
- 张锦川刘峰奇卓宁王利军刘俊岐王占国
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- 半导体量子级联激光器材料及其器件应用
- 本报告共分四部分,首先分别对基于InGaAs/InAIAs/lnP、AlGaAs/GaAs等材料体系的半导体子带跃迁量子级联激光器(QCLs)和基于InAs/AISb/GalnSb的锑化物Ⅱ型超晶格能带结构的带间跃迁激光...
- 王占国刘峰奇
- 关键词：功能分析材料选择光电器件
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- GaSb(100)同质外延表面形貌优化
- 在GaSb衬底的6.1(A)Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体红外光电子材料外延生长过程中,GaSb缓冲层的表面平整度是影响后续生长量子阱和超晶格质量的重要因素.研究了GaSb(100)衬底上使用分子束外延生长获得最佳GaSb缓冲层表...
- 于天刘舒曼徐波刘峰奇王占国
- 关键词：表面形貌
- 1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
- 2000年
- 介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88％,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
- 钱家骏叶小玲徐波韩勤陈涌海丁鼎梁基本刘峰奇张金福张秀兰王占国
- 关键词：INAS/GAAS量子点激光器电致发光谱光学特性
- 量子级联激光器:从中红外到THz
- 量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,简称QCL)是以半导体低维结构材料为基础、基于量子工程设计的、具有级联特征的、光电性能可调控的中远红外、THz激光器,它是一种基于半导体耦合量子阱子带间电子跃迁...
- 刘峰奇
- 垂直发射量子级联激光器结构
- 本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层；金属光栅层，该金属光栅层位于接触层的上面，并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。
- 郭万红刘俊岐陆全勇张伟江宇超李路王利军刘峰奇王占国
