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张锦川

作品数:110 被引量:18H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 88篇专利
  • 11篇会议论文
  • 10篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 46篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 80篇激光
  • 77篇激光器
  • 62篇量子级联
  • 51篇量子级联激光...
  • 36篇波导
  • 24篇量子
  • 18篇半导体
  • 16篇光栅
  • 14篇红外
  • 14篇波长
  • 13篇电极
  • 13篇半导体激光
  • 13篇半导体激光器
  • 11篇发散角
  • 10篇半绝缘
  • 10篇衬底
  • 9篇量子点
  • 8篇中红外
  • 8篇金属
  • 7篇散热

机构

  • 110篇中国科学院
  • 5篇中国科学院大...
  • 2篇北京量子信息...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国船舶重工...

作者

  • 110篇张锦川
  • 106篇刘峰奇
  • 85篇王利军
  • 82篇刘俊岐
  • 63篇王占国
  • 57篇卓宁
  • 45篇翟慎强
  • 40篇刘舒曼
  • 20篇梁平
  • 20篇胡颖
  • 16篇闫方亮
  • 13篇贾志伟
  • 7篇王涛
  • 6篇李媛媛
  • 5篇赵越
  • 4篇李路
  • 3篇李远
  • 3篇谭松
  • 3篇王东博
  • 3篇于天

传媒

  • 4篇光子学报
  • 3篇第13届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇科技纵览
  • 1篇第10届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 1篇2024
  • 14篇2023
  • 15篇2022
  • 11篇2021
  • 5篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 7篇2017
  • 11篇2016
  • 7篇2015
  • 12篇2014
  • 6篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2011
110 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
应变补偿型量子级联探测器
本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器,包括:衬底;下接触层,外延生长于衬底之上;周期性应变补偿量子级联功能层,外延于下接触层之上,包括多个级联周期;上接触层,外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上;下接触电极,位于刻...
黎昆刘舒曼朱怡璇刘俊岐翟慎强王利军张锦川卓宁刘峰奇王占国
文献传递
一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构,其包括:衬底,其上制作有双沟道脊型波导结构,脊型区中设有激光器有源区;光栅层,制作在衬底上表面;电隔离层,制作在光栅层上表面,在光栅层与脊型区对应的上表面处断...
姚丹阳张锦川周予虹贾志伟闫方亮王利军刘俊岐刘峰奇王占国
文献传递
量子级联,让人类看得更远
2017年
中国科学院半导体研究所的研究团队利用分子束外延生长系统进行了红外量子级联激光材料的研究。实现了上千层应变材料的原子级尺度控制生长,取得了以InP基InGaAs/InAIAs多量子阱级联材料为代表的一系列标志性成果,具备环境监测、呼吸医疗、光电对抗、激光通信等多个领域的应用能力。
刘峰奇张锦川贾志伟
关键词:量子级联INGAAS激光材料分子束外延
短波量子级联激光器结构及其制备方法
本公开提供了一种短波量子级联激光器结构及其制备方法,该短波量子级联激光器结构包括:N型磷化铟衬底,N型磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下波导、量子级联增益区结构、N型磷化铟上波导、N型磷化铟渐变掺杂层和N...
翟慎强费腾张锦川刘峰奇
红外量子级联激光器关键技术
刘峰奇张锦川刘俊岐王利军卓宁王占国
该发明属低维无机非金属材料(学科代码4304520),涉及了多项研制量子级联激光器的关键技术。 红外激光器对国防安全和社会发展具有重要作用。典型例证:红外激光器可用于红外干扰及对抗、空间通信、战场环境评估等军事领域;红外...
关键词:
关键词:红外激光器激光光源
一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件
本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件,包括:衬底;衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层;阵列器件,其包含多个DFB激光器单元,每个DFB激光器单元具有脊型波导...
闫方亮张锦川姚丹阳卓宁王利军刘峰奇王占国
文献传递
用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法
一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法,包括如下步骤:步骤1:取一半导体芯片;步骤2:取一半导体衬片;步骤3:用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接,形成基片;步骤4:将基片进行甩胶处理;步骤5:将基片置于光刻机上,对基片...
梁平胡颖刘俊岐刘峰奇王利军张锦川王涛姚丹阳王占国
文献传递
MOCVD生长的瓦级中波红外高功率量子级联激光器被引量:1
2022年
基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术实现了室温连续(CW)输出功率达到瓦级的中波红外量子级联激光器(QCL)。通过MOCVD生长条件优化,实现了高界面质量双声子共振结构材料生长,制备出室温CW功率最高为1.21 W的4.6μm QCL。具体研究了基于生长的30和40级有源区材料所制备器件的性能,探究了不同级数对器件性能的影响。相比于30级有源区器件,40级有源区器件单位面积等效输出功率没有明显提升,但器件性能随温度的升高迅速下降,这归因于更加显著的热积累效应和外延材料变厚导致的质量恶化。因此,在通过增加有源区级数提升器件功率时,需要充分考虑有源级数、热积累和材料生长质量等因素之间的平衡。MOCVD是半导体材料产业界普遍采用的技术,本研究工作对于提升QCL材料制备效率、推进QCL技术产业化应用具有重要意义。
孙永强费腾黎昆郭凯张锦川卓宁刘俊岐王利军王利军贾志伟刘舒曼刘峰奇贾志伟
关键词:激光器量子级联激光器金属有机物化学气相沉积高功率
一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法
本发明公开了一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法。该材料结构包括:掺杂锑源的量子点有源区结构,该量子点有源区结构包括:自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层;进一步包括在衬底上生长缓冲层、下限制层、上述量子点有...
王东博卓宁张锦川刘峰奇王占国
文献传递
光反馈结构及其封装方法
本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法,包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜,所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内,所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光...
李媛媛刘俊岐刘峰奇骆军委翟慎强张锦川卓宁王利军刘舒曼梁平胡颖
文献传递
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