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陈涌海

作品数：117 被引量：32H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 23篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 38篇电子电信
  • 13篇理学
  • 3篇机械工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 27篇量子点
  • 26篇量子
  • 22篇半导体
  • 18篇衬底
  • 16篇激光
  • 13篇光电
  • 12篇偏振
  • 12篇激光器
  • 11篇光学
  • 9篇协变
  • 9篇离子束
  • 8篇生长温度
  • 8篇离子束外延
  • 8篇光电流
  • 8篇光谱
  • 8篇发光
  • 8篇分子束
  • 8篇分子束外延
  • 8篇超高真空
  • 7篇中间层

机构

  • 117篇中国科学院
  • 3篇南开大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇福州大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇武警医学院
  • 1篇中国科学院电...
  • 1篇江苏省光电信...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 117篇陈涌海
  • 77篇王占国
  • 27篇杨少延
  • 19篇叶小玲
  • 17篇刘雨
  • 12篇刘志凯
  • 12篇金鹏
  • 12篇高寒松
  • 11篇刘峰奇
  • 11篇柴春林
  • 11篇陈诺夫
  • 9篇蒋崇云
  • 9篇李成明
  • 9篇范海波
  • 9篇张宏毅
  • 7篇李远
  • 6篇钱家骏
  • 6篇俞金玲
  • 6篇马惠
  • 6篇武树杰

传媒

  • 14篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇光散射学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇北京师范大学...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇中国基础科学
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 10篇2009
  • 18篇2008
  • 12篇2007
  • 11篇2006
  • 10篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
共 117 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种生长可控量子点和量子环的方法
本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方...
赵暕陈涌海王占国徐波
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装...
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
文献传递
具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法
本发明一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层沉积在衬底，它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来；一绝缘层，该绝缘层沉积在缓冲层上；一量子点注入层，该量子点注入层...
胡良均陈涌海叶小玲王占国
文献传递
一种制备金属铪薄膜材料的方法
本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属...
杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
文献传递
圆偏振光探测方法、装置、电子设备及存储介质
本公开提供了一种圆偏振光探测方法，应用于光探测技术领域，包括：获取不同外加偏压下探测器探测到的左圆偏振光电流和右圆偏振光电流，计算在每个该外加偏压下该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，基于每个该外加偏压下的该左圆...
吴静陈涌海曾晓琳赵成城黄建亮张艳华马文全
砷化镓基量子级联激光器研究取得重要进展
2005年
陈涌海
关键词：量子级联激光器砷化镓量子限制效应半导体异质结粒子数反转耦合量子阱
离子束外延技术与新材料研究
介绍了离子束外延（Ion-Beam Epitaxy,IBE）技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...
杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
文献传递
高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
1997年
利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污．
钱家骏陈涌海孙明方王占国林兰英
关键词：砷化镓
测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法
本发明公开了一种测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法。所述测试装置包括：光源、偏振调制反射差分系统、分光棱镜、扫描平台、共聚焦显微系统、信号采集系统。根据光弹性效应原理以及晶体缺陷理论可知，半导体材料表面的微...
黄威陈涌海刘雨高寒松李远邬庆
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在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法
本发明公开了一种在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法，包括：步骤1：选择半导体衬底，通过光刻方法在衬底上制作出条形或圆孔图形；步骤2：配置含有胶体金的溶液；步骤3：将制作出条形或圆孔图形的衬底浸入配置的含有...
陈涌海刘建庆高云徐波张兴旺王占国
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