魏鸿源
- 作品数：63 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理被引量：1
- 2021年
- 氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度对AlN的生长形貌和生长模式具有重要的影响。AlN的生长形貌体现在纳米尺度和微米尺度的形貌差异,该结果归因于受生长温度主导的Al原子的表面迁移能力和位错演化。另外,在900℃生长温度下得到具有倒金字塔结构的V坑形貌。V坑面为{10-11}半极性面,并遵循三维(3D)生长模式。这种具有半极性面微观形貌的AlN可作为模板进行半极性紫外LED器件结构或其他Ⅲ族氮化物外延生长,在光电子器件和电子器件研制方面具有广阔的应用前景。
- 牛慧丹孔苏苏杨少延刘祥林刘祥林魏鸿源李辉杰李辉杰汪连山汪连山
- 关键词：氮化铝氢化物气相外延生长温度表面形貌
- 氮化镓激光器的关键技术研究
- 刘祥林谢子燕陆大成王晓辉黎大兵焦春美魏鸿源丛光伟董向芸蒋全李书田
- 全世界每年需要生长GaN的MOCVD设备约100台。我国大陆每年进口5台，用于GaN蓝绿光发光二极管的生产和研究。如果每台按700万计算，全世界生长GaN的MOCVD设备每年的销售额达到至少7亿元人民币。随着“国家半导体...
- 关键词：
- 关键词：MOCVD
- 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
- 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层...
- 杨少延张恒魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
- 文献传递
- δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法
- 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向...
- 魏鸿源刘祥林张攀峰焦春美王占国
- 文献传递
- 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法
- 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上...
- 郭严宋华平郑高林魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
- 不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响被引量：1
- 2007年
- 在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO薄膜,其(1012)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10.
- 张攀峰魏鸿源范海波丛光伟杨少延朱勤生刘祥林
- 关键词：ZNO蓝宝石XRDSEM
- 氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法
- 一种氧化锌基的蓝光发光二极管，包括：一衬底，该衬底为圆形；一缓冲层制作在衬底上，该缓冲层有利于提高材料的外延生长质量；一n－氧化锌层制作在缓冲层上，在该n－氧化锌层的边缘刻蚀出环形台阶，该n－氧化锌层有利于作出环形金/钛...
- 张攀峰丛伟光魏鸿源刘祥林
- 文献传递
- 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
- 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...
- 王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
- 文献传递
- 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
- 本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温G...
- 赵桂娟李志伟桑玲刘贵鹏刘长波谷承艳魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
- 文献传递
- n型GaN过渡族难熔金属欧姆电极对比被引量：2
- 2019年
- 研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与In型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线模型测量了Hf/Al和Ti/Al电极的比接触电阻率.结果表明,同等退火条件下的Hf/Al电极,相比于传统Ti/Al电极,展现出了更加优越的欧姆接触性能.在N2氛围中低温650℃条件下退火60 s的Hf/Al电极得到了最低的比接触电阻率为4.28×10^-5Ω·cm^2.本文还利用深度剖析的俄歇电子能谱仪对电极的结构特性进行了分析,经历退火的Hf/Al电极样品中金属与金属,金属与GaN之间发生了相互扩散.对Hf/Al,Ti/Al电极表面进行了扫描电子显微镜表征,两种电极均表现出颗粒状的粗糙表面.
- 何天立魏鸿源李成明李庚伟
- 关键词：N型GAN欧姆接触快速热退火铪
