刘祥林
- 作品数：149 被引量：148H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1
- 2000年
- 研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
- 刘祥林王成新韩培德陆大成王晓晖汪度王良臣
- 关键词：P型GANALGAN双异质结蓝光发光二极管
- 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
- 本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备P型氧化锌(ZnO)半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配，在氧化锌和氧化镁锌超晶格之中调制掺入P型杂质并退火。利用氧化锌和氧化镁锌之...
- 刘祥林赵凤瑗焦春美于英仪
- 文献传递
- 电磁阀
- 一种电磁阀，包括：一非磁性阀座位于电磁阀整体的最下面，其上面的中心形成有一气室，自该气室至外壁有导阀口和主阀口；一阀体的断面为倒T型，且为中空，该阀体用螺丝与非磁性阀座连接，其最上部分有螺纹；一磁性阀芯为一柱体，在其端部...
- 刘祥林焦春美赵风瑷
- 文献传递
- 金属有机物化学气相沉积设备反应室中的反烘烤沉积结构
- 对于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，特别是生产型金属有机物化学气相沉积设备，在生长完材料后烘烤石墨基座的过程中，反应室内沉积物特别是石墨基座上的沉积物受热蒸发上升，上升到反应室天棚时，由于温度差石墨沉积物会受冷...
- 刘祥林焦春美
- 文献传递
- 铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5
- 2002年
- 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着
- 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE光电特性
- 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底
- 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外...
- 张志成杨少延黎大兵刘祥林陈涌海朱勤生王占国
- 文献传递
- 径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟被引量：17
- 2005年
- 对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等.
- 左然张红刘祥林
- 关键词：MOCVD输运过程热对流数值模拟
- 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
- 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组...
- 杨少延冯玉霞魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
- 文献传递
- 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
- 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源...
- 桑玲王俊魏鸿源焦春美刘祥林朱勤生杨少延王占国
- 文献传递
- GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制被引量：3
- 1996年
- 利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。
- 陆大成刘祥林汪度王晓晖林兰英
- 关键词：蓝色发光二极管二极管
