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吴巨: 作品数：33 被引量：31H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程农业科学更多>>

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50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长被引量：2: 1997年; 在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超晶格质量明显改善，可以观察到12级卫星峰，而在没有这个缓冲层的样品上只能观察到3个衍射卫星峰．透射电子显微镜上观察到产生的位错被限制在这个缓冲层中或弯曲进入了衬底而没有进入所需要的外延层。; 潘栋曾一平吴巨王红梅李晋闽孔梅影; 关键词：半导体应变超晶格

量子点外延生长新模型(续)(英文): 2012年; 3.2 Wetting Layer Tailored by Epitaxial Stress Most epitaxial films wet the substrates to var-ying degrees in heteroepitaxy.In the paradigm systems of the QD epitaxial growth,In As/GaAs(001)and Ge/Si(001),the critical wetting layer(WL)for; 吴巨; 关键词：量子点 EPITAXIAL WETTING INDIUM BONDS DIMER

热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响: 2000年; 利用光致瞬态电流谱 (OpticalTransientCurrentSpectrumOTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2 、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大 ,特别ILT1 ILT3 =C由退火前的C >>1到退火后C <<1 ,退火温度越高 ,C值越小 ,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降 ,反之 ,与镓空位VGa 相关的LT3能级浓度上升。另外经 80 0℃ ,1 0min热退火后 ,在LT2 峰处出现了负瞬态 ,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸。; 张砚华范缇文陈延杰吴巨陈诺夫王占国; 关键词：热退火砷化镓

InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质(英文): 2008年; 研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.; 梁志梅吴巨金鹏吕雪芹王占国; 关键词：量子点能级结构光致发光

Ge<,x>Si<,1-x>/Si中应变的会聚束电子衍射研究: 介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge<,x>Si<,1-x>/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径...; 范缇文吴巨王占国; 关键词：金属化合物电子衍射计算机模拟; 文献传递

双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟: 2014年; 数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。; 陈红梅安琪吴艳华王飞飞胡发杰李新坤金鹏吴巨王占国; 关键词：结构参数

直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置: 本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...; 莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨; 文献传递

MBE自组装量子点生长和结构形态研究被引量：1: 2008年; 综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。; 吴巨金鹏吕小晶王占国曾一平王宝强姚然; 关键词：分子束外延量子点

InP(001)衬底上的InAs量子线(英文): 2006年; 在分子束外延生长的InAs/In0.52Al0.48As/InP异质结体系中,形成InAs量子线.这些InAs量子线在生长和结构方面有一些独到的特性,并介绍了本实验室在研究InAs量子线的生长和结构方面所做的工作.; 吴巨王占国; 关键词：量子线 INAS 分子束外延

直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置: 本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...; 莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨; 文献传递