范缇文
- 作品数：32 被引量：24H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究
- 1996年
- 砷离子注入的ＧｅＳｉ合金中沉淀相的研究范缇文（中国科学院半导体材料科学实验室，北京１０００８３）杂质在ＧｅＳｉ合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如，作为ＧｅＳｉ合金的主要掺杂剂的元素砷以离子形态注入ＧｅＳｉ合金再经热退火，发现其中...
- 范缇文
- 关键词：硅化锗合金沉淀相砷离子注入
- 半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响被引量：10
- 1997年
- 在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．
- 吴巨何宏家范缇文王占国张绵
- 关键词：砷化镓衬底MESFETS旁栅效应
- 低温分子束外延生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ＃-[-x]Ａｓ异质结材料的透射电子显微镜研究
- 范缇文张金福
- 关键词：砷化镓分子束外延异质结电子显微镜透射电子显微术
- 集成电路用砷化镓材料与器件关系的研究
- 林兰英陈涌海王占国张砚华范缇文邓兆杨杨锡权任光宝万寿科吴
- 该成果：提出了半绝缘ＧａＡｓ的多能级补偿模型，首次从理论上解释了半绝缘材料在热处理或工艺过程中变中阻和转型问题，指出制备良好热稳定材料必须具备的条件；从理论上分析了产生增台光电流的物理机制，得到了半绝缘ＧａＡｓ的电学补偿...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓集成电路
- 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
- 2000年
- 利用光致瞬态电流谱 (OpticalTransientCurrentSpectrumOTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT GaAs中都存在三个主要的深中心LT1、LT2 、LT3,退火后各峰的相对强度变化很大 ,特别ILT1 ILT3 =C由退火前的C >>1到退火后C <<1 ,退火温度越高 ,C值越小 ,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷AsGa及砷间隙Asi相关的LT1能级浓度的下降 ,反之 ,与镓空位VGa 相关的LT3能级浓度上升。另外经 80 0℃ ,1 0min热退火后 ,在LT2 峰处出现了负瞬态 ,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸 。
- 张砚华范缇文陈延杰吴巨陈诺夫王占国
- 关键词：热退火砷化镓
- 分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究被引量：5
- 1994年
- 本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．
- 阎春辉郑海群范缇文孔梅影曾一平黄运衡朱世荣孙殿照
- 关键词：分子束外延砷化镓GAASSB
- 分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究
- 1999年
- 报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论．结果表明：多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着InAs量子点层数的增加，量子点的密度下降，其尺寸随层数的增加趋向均匀．在试验条件下，5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理，其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成．
- 白元强莫庆伟范缇文
- 关键词：分子束外延量子点电子显微镜TEM砷化铟
- Ge<,x>Si<,1-x>/Si中应变的会聚束电子衍射研究
- 介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge<,x>Si<,1-x>/Si化学 梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径...
- 范缇文吴巨王占国
- 关键词：金属化合物电子衍射计算机模拟
- 文献传递
- 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
- 1990年
- 本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。
- 肖光明殷士端张敬平范缇文刘家瑞丁爱菊周均铭朱沛然
- 关键词：离子注入退火GAAS/SI晶体
- In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs材料系中有序结构的研究
- 1997年
- 利用光致发光（ＰＬ），横截面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料系中的有序结构进行了研究。实验结果指出：（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地依赖于材料的生长条件；（２）材料的光学性质和结构性质有密切关系。文中提出了一个物理模型，认为有序Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ材料是一种具有可变带尾态的Ⅱ型量子阱材料。
- 范缇文林兰英
- 关键词：光致发光发光器件电镜
