公共文化服务平台

王宝强: 作品数：18 被引量：7H指数：1; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学农业科学更多>>

合作作者

低温下应变外延层的单层生长(英文): 2003年; 用接触式原子力显微镜来观察 4 6 0℃低温下生长的 In0 .35Ga0 .6 5As/ Ga As外延层形貌 .实验发现 ,这种 4 6 0℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的 Fvd M生长模式也不是岛状的 SK自组织生长模式 ,而是由原子单层构成的梯田状大岛 .原子力显微镜测试表明台阶的厚度为 0 .2 8nm,约为一个原子单层。; 段瑞飞王宝强朱占平曾一平; 关键词：INGAAS/GAAS 分子束外延原子力显微镜外延层砷化镓

薄膜和量子点的外延生长(英文)被引量：1: 2010年; 首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质。在对已经发表过的实验数据进一步分析的基础上,作者对一个量子点自组装生长形成所需要的时间作了一个估算,说明这是一个非常快的过程(<10-4s)。最后,作者提出了一个理解量子点自组装生长过程机制的模型。; 吴巨金鹏曾一平王宝强王占国; 关键词：自组装量子点

MBE自组装量子点生长和结构形态研究被引量：1: 2008年; 综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。; 吴巨金鹏吕小晶王占国曾一平王宝强姚然; 关键词：分子束外延量子点

MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续): 2008年; 吴巨金鹏吕小晶王占国曾一平王宝强姚然; 关键词：自组装量子点 INAS/GAAS INAS量子点 MBE GAAS(001)

N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法: 本发明公开了一种N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法，具体说来是将一个倒置型有机发光二极管(OLED)外延生长在下部的无机红外光探测器单元上。该装置的工作原理是反向偏置的红外探测器单元将输入的红外信号转换为电信...; 楚新波关敏曾一平王宝强朱战平; 文献传递

快速率生长MBE InAs/GaAs(001)量子点被引量：1: 2009年; 用快速率(1.0ML/s)生长MBE InAs/GaAs(001)量子点。原子力显微镜观察结果表明,在量子点体系形成的较早阶段,量子点密度N(θ)随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N(θ)∝ek(θ-θc),这与以前在慢速生长(≤0.1ML/s)条件下出现的标度规律N(θ)∝(θ-θc)α明显不同。另外,在N(θ)随θ增加的过程中,快速率生长量子点的高度分布没有经历量子点平均高度随沉积量θ逐渐增加的过程。这些实验观察说明,以原子在生长表面作扩散运动为基础的生长动力学理论至少是不全面的,不适用于解释InAs量子点的形成。这些观察和讨论说明,即使在1.0ML/s的快速率生长条件下,量子点密度也可以通过InAs沉积量有效地控制在1.0×108cm-2以下,实现低密度InAs量子点体系的制备。; 吴巨曾一平王宝强朱占平王占国; 关键词：分子束外延量子点

8mmFMCW测距雷达测距精度的改进被引量：1: 1991年; 近年来,连续波测距雷达得到了迅速发展,无论是在军事上还是在工业生产中都得到了越来越广泛的应用。 FMCW测距雷达具有以下优点:(1) 信号形式简单,较易处理;(2) 测量精度高;(3) 作用距离远;(4) 设备简单,重量轻,耗能低。; 傅纲杨玉芬吴晓东彭斌王宝强张志谱; 关键词：FMCW 测距雷达测距精度雷达

不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究被引量：1: 2007年; 用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.; 高宏玲李东临周文政商丽燕王宝强朱战平曾一平; 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管