赵寿南
- 作品数：15 被引量：17H指数：2
- 供职机构：华南理工大学理学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 磁控溅射Cu膜之Cu/SiO_2/Si结构的应力被引量：2
- 2002年
- 采用红外光弹测量法测量用磁控溅射淀积在SiO2 /Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力 .结果表明 :SiO2 在Si衬底中引入张应力 ,而Cu在Si衬底中引入压应力 .在Cu/SiO2 /Si结构中 ,随SiO2 膜厚减小和Cu膜厚增大 ,Si衬底中张应力逐渐减小 ,最终转为压应力 .同时比较、分析了理论估算值和实验结果的差异 。
- 陈先带张红赵寿南
- 关键词：应力磁控溅射
- 硅晶体中离子注入应力的红外光弹性测量及研究被引量：1
- 1990年
- 根据光弹性原理,利用红外光弹性测量系统,采用Senarmont补偿法,对离子注入工艺应力进行了测量。对离子注入工艺应力、退火后应力、应力的分布、应力随剂量和表面浓度的变化进行了研究。
- 蒋连生赵寿南梁汉成
- 关键词：晶体硅离子注入应力
- 涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合被引量：2
- 1997年
- 在用于发光器件制造的多层ＭＯＣＶＤ外延技术中，用高速氢气流冲洗管路、混合有机源获得晶格匹配好，而且界面过度层薄的突变异质结界面．
- 廖常俊刘颂豪陈俊芳刘剑赵寿南郑学仁
- 关键词：MOCVD半导体
- 用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究
- 1998年
- 在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．
- 廖常俊刘颂豪陈俊芳刘剑刘剑郑学仁
- 关键词：MOCVD技术发光器件
- 镓铝铟磷异质结发光材料的设计被引量：1
- 1998年
- 利用经验公式来计算能带和晶格常数，并用来进行发光材料异质结构的设计，方法简单，直观，在试制和生产中将会有重要的应用．
- 刘剑聂承昌陈俊芳廖常俊赵寿南
- 关键词：异质结发光材料
- 硅晶片氧化应力的红外光弹性测量及研究被引量：4
- 1989年
- 本文利用红外激光光弹性仪,采用光测弹性力学中的Senarmont补偿法,解决了硅晶片小数级条纹值定量测量问题.在考虑硅晶体光弹性效应各向异性的基础上,实测了(111)、(100)单晶硅片的原始应力及氧化应力.对硅晶片原始应力的产生与消除、氧化应力在硅中的分布、氧化应力与氧化层厚度的关系、氧化应力随时间的变化等进行了研究.
- 黄岚梁汉成赵寿南
- 关键词：硅应力光弹性晶体
- 硅扩散应力的理论分析被引量：4
- 1995年
- 参考热弹性力学中的薄板热应力理论，推导出了硅薄片中扩散应力的表达式；讨论了单面扩散和双面扩散硅片中的应力分布规律，并将理论结果踉光弹实验结果作了比较，发现它们之间有比较好的一致性。
- 王玉中赵寿南梁海生
- 关键词：硅应力扩散光弹性
- N型硅单晶霍尔系数与应力关系的研究被引量：1
- 1990年
- 本文针对n型硅单晶,在常温下进行霍尔效应实验,研究了霍尔系数与压缩应力的关系。研究结果表明,样品的霍尔系数绝对值随着作用于样品压缩应力的增加而减少。应力增加一个数量级,霍尔系数绝对值的相对变化小于10%。其与应力的变化关系似乎不是完整的线性关系。在应力方向和电流方向沿〈111〉晶向时,沿不同晶向加磁场,霍尔系数的变化情形几乎没有多大改变。本文还对实验结果作了理论上的定性解释。
- 冯文修赵寿南
- 关键词：N型硅单晶应力
- 硅单晶应力自动检测系统被引量：2
- 1989年
- 介绍了一种利用微型计算机自动采集和处理数据的硅单晶应力检测系统。该系统由红外光源、偏振元件、样品架、红外摄像机、电视监视器、专用I/O 接口以及微型计算机组成。用自己设计的软件对光弹图形进行处理,得到样片中各点的应力分布。
- 梁汉成覃甘明赵寿南
- 关键词：硅单晶自动检测系统红外摄像机电视监视器数据传输接口电视摄像机
- 扩散应力的测量及消除被引量：1
- 1994年
- 本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双源补偿扩散法掺杂技术消除应力的可行性及工艺条件。
- 黄岚赵寿南祝忠华潘永雄
- 关键词：硅应力扩散光弹性
