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潘永雄

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇应力
  • 2篇主应力
  • 2篇扩散
  • 2篇光弹性
  • 1篇应力消除
  • 1篇应力状态
  • 1篇晶片
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶片
  • 1篇硅

机构

  • 3篇华南理工大学

作者

  • 3篇潘永雄
  • 2篇赵寿南
  • 1篇黄岚

传媒

  • 2篇华南理工大学...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
扩散应力的测量及消除被引量：1
1994年
本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双源补偿扩散法掺杂技术消除应力的可行性及工艺条件。
黄岚赵寿南祝忠华潘永雄
关键词：硅应力扩散光弹性
红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态被引量：1
1993年
本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。
赵寿南潘永雄
关键词：硅晶片主应力光弹性
硅薄片主应力测量研究及扩散应力消除初探
潘永雄
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共1页<1>
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