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范海波

作品数:16 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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领域

  • 16个电子电信
  • 11个理学
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主题

  • 17个衬底
  • 16个氧化锌薄膜
  • 15个生长温度
  • 14个MOCVD
  • 13个纳米
  • 13个发光
  • 11个纳米棒
  • 11个金属有机物
  • 10个单晶
  • 10个氧化锌
  • 10个氧化锌纳米
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  • 9个导热
  • 9个氧化锌纳米棒
  • 9个金属有机物化...
  • 9个开关时间
  • 8个氮化
  • 8个导体
  • 8个电子器件
  • 7个形貌

机构

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  • 1个北京师范大学
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资助

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传媒

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  • 10个人工晶体学报
  • 8个物理学报
  • 8个第十四届全国...
  • 6个功能材料
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  • 4个中国稀土学报
  • 4个固体电子学研...
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  • 4个第十一届全国...
  • 4个第四届中国功...
  • 4个2000年中...
  • 3个科学通报
  • 3个材料导报
  • 3个稀有金属
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  • 3个真空科学与技...
  • 3个第五届中国功...

地区

  • 17个北京市
  • 1个山东省
18 条 记 录,以下是 1-10
杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 衬底 协变 光学 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李成明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:协变 衬底 量子级联激光器 铪 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化物 GAN MOVPE MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张攀峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氧化锌薄膜 衬底 生长温度 氧化锌纳米棒 锌源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 非极性 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱勤生
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡芳芳
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氧化锌纳米棒 MOCVD生长 MOCVD P型掺杂 高结晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏宏源
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 杆状 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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