敖金平
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：德岛大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN场效应晶体管的器件隔离技术
- 镓(GaN)半导体具有宽带隙、高饱和电子漂移速率、高临界击穿电场及通过异质结结构形成高电子密度的二维电子气等材料特性,使其在高温、高频电力电子器件领域具有独特的优势.AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)和Ga...
- 江滢敖金平王德君
- 关键词：场效应晶体管氮化镓界面态密度
- 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
- 2015年
- 采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。
- 周桂林张金城沈震杨帆姚尧钟健郑越张佰君敖金平刘扬
- 关键词：氮化镓场效应管等离子增强化学气相沉积
- GaN MOSFET的设计制作及其表征
- 2012年
- 探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂A1GaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm^2·V^(-1)·s^(-1),界面态密度达1.31×10^(11)个/(cm^2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构。
- 王青鹏江滢敖金平王德君
- 高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作被引量：1
- 2021年
- 通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件。为了验证结构的优势,同时制作了用于对比的传统指型器件。通过大量测试,得到联U型器件的平均寄生电阻为2.38Ω,约为指型器件的89.8%。零偏压下联U型器件的结电容为0.48 pF,约为指型器件的90.6%。联U型器件的平均截止频率为139 GHz,相比指型器件提高了约23%。在不增加寄生电容、不牺牲功率容量的情况下,降低了二极管的寄生电阻,大大提高了高频状况下GaN微波整流二极管的整流效率。
- 钟易润李杨谭庶欣蒲涛飞罗向东敖金平
- 关键词：GAN截止频率肖特基二极管
