单兆会
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 用低压反应离子镀的方法制备Ge_(1-x)C_x单层非均匀增透膜的研究被引量：3
- 2007年
- 用低压反应离子镀（RLVIP）的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0．05-0．4nm／s之间的变化，其折射率在2．31～3．42之间可变。实验结果表明，镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构，并实现了从2000-8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0．1nm／s时，单面平均透过率从68．6％提高到了80．9％，比单面未镀膜时提高了17．9％。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明，制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。
- 王彤彤高劲松王笑夷宋琦陈红郑宣明申振峰单兆会
- 关键词：增透膜
- 低压反应离子镀制备Ge_(1-x)C_x薄膜的硬度研究被引量：1
- 2006年
- 应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在G e基底上沉积了G e1-xCx薄膜,随着沉积速度在0.1nm/s^0.9nm/s之间变化,G e1-xCx薄膜的硬度在2.12 GPa^11.066 GPa之间可变,当沉积速率为0.9nm/s时,G e1-xCx薄膜最大硬度为11.066 GPa。XRD测试结果表明,沉积的G e1-xCx薄膜均为无定形结构。对薄膜稳定性和牢固度的测试表明,制备的G e1-xCx薄膜在具有较高的硬度的同时,也有良好的性能。
- 王彤彤高劲松王笑夷宋琦陈红郑宣明申振峰单兆会凌伟
- 用低压反应离子镀技术制备的类金刚石薄膜及其表征被引量：1
- 2011年
- 以Ar气作为工作气体,CH_4作为反应气体,利用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。通过拉曼光谱、Perking Elmer GX型红外光谱仪和Nano Indenter XP型纳米压痕硬度测试计分别表征了类金刚石薄膜的微观结构、光学性能和机械性能。结果表明,类金刚石薄膜(I_D/I_G=0.918)具有较高的sp^3键含量,其硬度值达到28.6GPa,弹性模量为199.5GPa;单层膜系在8～11.5μm波段的峰值透过率为63.6%,平均透过率为62%。
- 单兆会高劲松王彤彤申振峰陈红
- 关键词：类金刚石薄膜拉曼光谱显微硬度
- RLVIP制备Ge1-xCx薄膜的硬度研究
- 应用低压反应离子镀（RLVIP）的薄膜制备方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜,随着沉积速度在0．1nm／s～0．9nm／s之间变化,Ge1-xCx薄膜的硬度在2．12 GPa～11．066 GPa之间可变,当沉积速...
- 王彤彤高劲松王笑夷宋琦陈红郑宣明申振峰单兆会凌伟
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