申振峰
- 作品数：42 被引量：118H指数：7
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_(1-x)C_x薄膜被引量：4
- 2007年
- 应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/（CH4＋Ar）的气体流量比（G）,制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试（XPS）计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜（AFM）测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明：制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.
- 王彤彤高劲松王笑夷宋琦郑宣明徐颖陈红申振峰
- 用于视频仿生隐身的变色膜
- 本发明涉及一种用于视频仿生隐身的变色膜，该变色膜主体部分由介质-吸收金属膜系和反射膜构成，介质-吸收金属膜系的介质膜层和吸收金属膜层交叠在一起共2～8层，最下层为介质膜层，材料选用SiO<Sub>2</Sub>，最上层为...
- 申振峰高劲松韩志武任露泉
- 文献传递
- 反应烧结碳化硅表面改性的初步研究被引量：4
- 2008年
- 应用电子束蒸发硅，霍尔离子源电离甲烷，并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅（RBSiC）基底上沉积了碳化硅（SiC：H）改性薄膜。X射线衍射（XRD）测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率，制备了硬度为9．781～13．087GPa，弹性模量为89．344～123．413GPa的碳化硅改性薄膜。比较同样条件下镀制银膜的抛光良好微晶玻璃和经过精细抛光的改性RBSiC，结果表明两者反射率相近；附着力实验表明，制备的薄膜和基底结合良好；在温度冲击实验下，制备的薄膜无龟裂和脱落。
- 王彤彤高劲松王笑夷陈红郑宣鸣范镝申振峰
- 关键词：碳化硅薄膜表面改性
- 改善大口径碳化硅反射镜硅改性层表面微观缺陷的方法
- 本发明涉及一种改善大口径碳化硅反射镜硅改性层表面微观缺陷的方法，属于薄膜沉积技术领域。解决现有技术中大口径RB‑SiC基底采用face‑up方式改性时，Si材料颗粒掉落镜面造成大量表面微观缺陷从而影响镜面粗糙度和光洁度的...
- 刘震高劲松王笑夷杨海贵王彤彤申振峰
- 文献传递
- 离子辅助制备碳化硅改性薄膜被引量：21
- 2008年
- 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。
- 陈红高劲松宋琦王彤彤申振峰王笑夷郑宣鸣范镝
- 关键词：反应烧结碳化硅表面改性离子辅助沉积
- 用低压反应离子镀技术制备的类金刚石薄膜及其表征被引量：1
- 2011年
- 以Ar气作为工作气体,CH_4作为反应气体,利用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。通过拉曼光谱、Perking Elmer GX型红外光谱仪和Nano Indenter XP型纳米压痕硬度测试计分别表征了类金刚石薄膜的微观结构、光学性能和机械性能。结果表明,类金刚石薄膜(I_D/I_G=0.918)具有较高的sp^3键含量,其硬度值达到28.6GPa,弹性模量为199.5GPa;单层膜系在8～11.5μm波段的峰值透过率为63.6%,平均透过率为62%。
- 单兆会高劲松王彤彤申振峰陈红
- 关键词：类金刚石薄膜拉曼光谱显微硬度
- RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱被引量：3
- 2008年
- 应用低压反应离子镀（RLVIP）技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中，低压等离子源作为辅助等离子源，Ge作为蒸发材料，CH4作为反应气体，在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量（x）从0．23到0．78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明：当x〉0．78时，成键为c-H键；当x为0．53～0．62时，成键为c-c键；当x〈0．47时，成键为Ge-C键。
- 王彤彤高劲松宋琦王笑夷陈红郑宣鸣申振峰
- 关键词：X射线光电子能谱离子辅助沉积
- SiO_2单层膜的反常色散研究被引量：2
- 2009年
- 利用等效折射率概念分析了SiO2单层膜反常色散出现的原因,并在1.1m镀膜机上证明了理论分析的合理性.结果表明,理论分析与实验结果一致,沿薄膜厚度方向折射率的对称周期变化使薄膜的等效折射率变化在可见光波段与致密膜层的变化不一致,表现出反常色散的现象.膜厚方向折射率变化周期越大,等效折射率随波长增加的趋势就越大,薄膜表现出的反常色散特性越明显.沿膜厚方向折射率变化幅度的对色散特性影响次之.
- 李香波高劲松王彤彤王笑夷陈红郑宣明申振峰朱华新尹少辉刘小涵王珊珊
- 关键词：光学薄膜反常色散等效折射率
- 应用SiC反射镜表面改性技术提高TMC光学系统信噪比被引量：8
- 2009年
- 为了消除SiC反射镜的固有缺陷,提高反射式光学系统的信噪比,使用SiC表面改性技术对同轴三反射(TMC)光学系统的SiC反射镜进行了处理。首先,应用等离子体辅助沉积(PIAD)技术沉积了一层Si改性层,接着对改性层进行精密抛光,然后在反射镜表面镀制Ag膜和增强膜,最后获得了表面改性对TMC光学系统信噪比的影响。Wyko轮廓仪测试表明,SiC反射镜的粗糙度Ra由10.42nm降低到了0.95nm;镀制高反射膜后,主镜、次镜、三镜及折叠镜在0.5～0.8μm可见光波段的反射率>98%。计算结果表明,应用了表面改性技术后TMC反射式光学系统的信噪比提高了5%以上,说明SiC表面改性技术是一种提高TMC光学系统信噪比的有效方法。
- 陈红王彤彤高劲松巩盾王笑夷郑宣鸣申振峰张忠玉
- 关键词：表面改性信噪比
- 特定折射率材料及光学薄膜制备被引量：9
- 2013年
- 根据太阳电池阵激光防护膜性能优化的需要,应用离子辅助电子束双源共蒸工艺方法制备了优化设计所需的特定折射率的薄膜材料并用于制备激光防护膜。测试结果显示:用该工艺方法制备的掺杂材料薄膜的折射率n=1.75,与优化设计所需数值相符;激光防护膜性能优良,太阳辐射能透过率提高6%以上,实现了对该激光防护膜性能的进一步优化。为了使该双源共蒸方法适于大面积薄膜的制备,应用均匀性挡板技术来提高该方法制备大面积薄膜的膜厚均匀性,使制备的掺杂材料薄膜在口径为400 mm时的不均匀性小于2.1%。该双源共蒸方法制备工艺简单、可靠,适于实际工程应用。薄膜性能测试结果与理论优化结果相符,达到预期优化目标。
- 申振峰
- 关键词：折射率掺杂
