王笑夷
- 作品数：98 被引量：139H指数：7
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱被引量：3
- 2008年
- 应用低压反应离子镀（RLVIP）技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中，低压等离子源作为辅助等离子源，Ge作为蒸发材料，CH4作为反应气体，在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量（x）从0．23到0．78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明：当x〉0．78时，成键为c-H键；当x为0．53～0．62时，成键为c-c键；当x〈0．47时，成键为Ge-C键。
- 王彤彤高劲松宋琦王笑夷陈红郑宣鸣申振峰
- 关键词：X射线光电子能谱离子辅助沉积
- SiO_2单层膜的反常色散研究被引量：2
- 2009年
- 利用等效折射率概念分析了SiO2单层膜反常色散出现的原因,并在1.1m镀膜机上证明了理论分析的合理性.结果表明,理论分析与实验结果一致,沿薄膜厚度方向折射率的对称周期变化使薄膜的等效折射率变化在可见光波段与致密膜层的变化不一致,表现出反常色散的现象.膜厚方向折射率变化周期越大,等效折射率随波长增加的趋势就越大,薄膜表现出的反常色散特性越明显.沿膜厚方向折射率变化幅度的对色散特性影响次之.
- 李香波高劲松王彤彤王笑夷陈红郑宣明申振峰朱华新尹少辉刘小涵王珊珊
- 关键词：光学薄膜反常色散等效折射率
- 一种具有雷达红外一体化隐身效果的智能材料
- 本发明提供了一种具有雷达红外一体化隐身效果的智能材料，包括：第一透明基材；与第一透明基材相对的第二透明基材，且所述第一透明基材与第二透明基材之间为夹层；与所述夹层相连通的透明溶液存储器；与所述夹层相连通的抽真空装置；所述...
- 汤洋高劲松王笑夷
- 文献传递
- 应用SiC反射镜表面改性技术提高TMC光学系统信噪比被引量：8
- 2009年
- 为了消除SiC反射镜的固有缺陷,提高反射式光学系统的信噪比,使用SiC表面改性技术对同轴三反射(TMC)光学系统的SiC反射镜进行了处理。首先,应用等离子体辅助沉积(PIAD)技术沉积了一层Si改性层,接着对改性层进行精密抛光,然后在反射镜表面镀制Ag膜和增强膜,最后获得了表面改性对TMC光学系统信噪比的影响。Wyko轮廓仪测试表明,SiC反射镜的粗糙度Ra由10.42nm降低到了0.95nm;镀制高反射膜后,主镜、次镜、三镜及折叠镜在0.5～0.8μm可见光波段的反射率>98%。计算结果表明,应用了表面改性技术后TMC反射式光学系统的信噪比提高了5%以上,说明SiC表面改性技术是一种提高TMC光学系统信噪比的有效方法。
- 陈红王彤彤高劲松巩盾王笑夷郑宣鸣申振峰张忠玉
- 关键词：表面改性信噪比
- 凝视型多光谱成像方法
- 本发明提供一种凝视型多光谱成像方法，包括：光学成像系统、色散元件、驱动装置和探测器；所述光学成像系统的光轴分别垂直于所述色散元件的表面以及所述探测器的像元表面；所述色散元件位于所述光学成像系统和所述探测器之间；所述驱动装...
- 高劲松王笑夷杨飞张建
- 反可见、中红外、透10.6 μm高能激光分色镜的研制被引量：2
- 2004年
- 介绍了利用离子辅助在ZnSe基底上沉积YbF3和ZnSe制作反可见、中红外、透10.6 μm高能激光分色镜的理论和工艺方法.采用红外优秀的镀膜材料YbF3替代传统的有放射性红外镀膜材料ThF4用于制作反可见、中红外、透10.6μm高能激光分色镜取得了较好的效果.同时所研制的分色镜在透射率、反射率,吸收等光学性质,应力硬度牢固度等力学性质,和抗高能激光损伤阈值等方面进行了一系列的测试,基本达到理想的指标.
- 冯君刚王笑夷徐颖高劲松
- 关键词：离子辅助沉积激光阈值光学薄膜
- 宽截止窄带滤光片设计被引量：4
- 2010年
- 介绍了一种获得窄带宽截止滤光片的方法,即具有缺陷的多异质结结构,这种结构能够展宽光子晶体的禁带同时实现窄通带效应。通带的位置与缺陷的厚度及缺陷的位置有关,设计的窄带宽截止滤光片在光学领域中具有一定的应用前景。
- 朱华新高劲松王彤彤王笑夷陈红郑宣鸣申振锋
- 关键词：光学薄膜滤光片通带禁带
- 凝视型多光谱相机
- 本实用新型提供一种凝视型多光谱相机，包括：显微系统4、色散元件2、驱动装置3和探测器1；所述显微系统4的光轴分别垂直于所述色散元件2的表面以及所述探测器1的像元表面；所述色散元件2位于所述显微系统4和所述探测器1之间；所...
- 高劲松王笑夷杨飞张建
- 一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法
- 本发明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法属于薄膜沉积技术领域，该方法是使用化学试剂去除硅厚膜，先用碱和酸的溶剂将表面的有机污染物去除，然后使用混合酸溶液将硅厚膜腐蚀、去除，最后将碳化硅基底表面清洗干净。本发明的有益效果是：该方...
- 王彤彤高劲松王笑夷
- 离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_(1-x)C_x薄膜被引量：4
- 2007年
- 应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/（CH4＋Ar）的气体流量比（G）,制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试（XPS）计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜（AFM）测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明：制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.
- 王彤彤高劲松王笑夷宋琦郑宣明徐颖陈红申振峰
