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陈红

作品数:33 被引量:117H指数:7
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
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相关领域:理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

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领域

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主题

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  • 4篇反射镜
  • 4篇SIC
  • 3篇离子辅助沉积
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  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体层
  • 2篇电阻
  • 2篇碳化硅反射镜
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  • 2篇反射率
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  • 2篇方块电阻
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机构

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作者

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传媒

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  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2003
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
月基极紫外相机多层膜反射镜被引量:1
2013年
月基极紫外相机用于月球表面对地球等离子体层辐射出的30.4nm谱线进行成像观测,多层膜反射镜是月基极紫外相机的重要光学元件。根据月基极紫外相机技术参数,选择了B4C/Mg,B4C/Mg2Si,B4C/Al,B4C/Si,Mo/Si等材料,对其周期厚度、材料比例、周期数等参数进行优化。计算了以上材料组合在30.4nm的反射率曲线。考虑到月球环境的特殊性和材料的物理化学性质,从中选择出Mo/Si和B4C/Si两种组合,利用磁控溅射进行镀制。Mo/Si和B4C/Si多层膜在30.4nm反射率分别达到15.3%和22.8%。
刘震高劲松陈波王彤彤王笑夷申振峰陈红
关键词:极紫外磁控溅射反射率等离子体层
用低压反应离子镀的方法制备Ge_(1-x)C_x单层非均匀增透膜的研究被引量:3
2007年
用低压反应离子镀(RLVIP)的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0.05-0.4nm/s之间的变化,其折射率在2.31~3.42之间可变。实验结果表明,镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构,并实现了从2000-8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0.1nm/s时,单面平均透过率从68.6%提高到了80.9%,比单面未镀膜时提高了17.9%。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明,制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。
王彤彤高劲松王笑夷宋琦陈红郑宣明申振峰单兆会
关键词:增透膜
通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能
2010年
利用磁控溅射制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,系统地研究了生长温度(Tg)对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60℃增加到500℃,膜中锗含量增加,而碳含量相对降低,这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量,进而导致薄膜折射率从2.3增加到4.3,这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备。此外研究还发现,随着Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge—H和C—H键逐渐减少,这不但显著减小了薄膜在~5.3μm和~3.4μm处的光吸收,而且显著提高了薄膜的硬度。这些结果表明,提高生长温度是调制Ge1-xCx薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径。
胡超权王笑夷陈红朱嘉琦韩杰才郑伟涛
关键词:生长温度
空间反射镜基底材料碳化硅表面改性研究被引量:16
2009年
直接抛光后的SiC反射镜表面光学散射仍较大,无法满足高质量空间光学系统的应用需求。为此必须对SiC反射镜进行表面改性,以获得高质量的光学表面。目前国际上较为流行的是制备Si或SiC改性层进行表面改性。分别采用离子辅助电子束蒸发方法制备Si和SiC改性层进行改性,相关测试结果表明:Si改性层结构为立方相,改性后基底表面粗糙度(rms)降到0.620 nm,散射系数减小到1.52%;SiC改性层结构为非晶相,改性后基底表面粗糙度(rms)降到0.743 nm,散射系数减小到2.79%。两种改性层均与基底结合牢固,温度稳定性较高。从可靠性方面考虑,目前在国内第一种方法更适于实际工程应用。该工艺改性后SiC基底表面散射损耗大大降低,表面质量得到明显改善,镀Λg后表面反射率接近于抛光良好的微晶玻璃的水平,已能够满足高质量空间光学系统的应用需要。
高劲松申振峰王笑夷王彤彤陈红郑宣鸣
关键词:表面改性SI薄膜SIC薄膜
利用复振幅设计10.6μm偏振分光膜
2009年
为了得到10.6μm处偏振分光膜,采用薄膜光学的复振幅理论,利用受抑全内反射原理对传统的偏振分光膜的设计思想进行了改进,即通过抑制复振幅反射率为0,得到各膜层厚度。以10.6μm光波入射,仿真了不同入射角条件下的膜层厚度关系曲线,通过对曲线簇交叉点的取值,构建了偏振分光膜系的初始结构,通过Macleod优化设计了10.6μm红外偏振分光膜,所设计的偏振分光膜在10.6μm处,p偏振光透射率达到了92%,s偏振光反射率达到了93%,入射角范围是65~75°(玻璃中),反射偏振光消光比102~103。结果表明:此方法在偏振分光膜设计中有重要的应用价值。
尹少辉田志刚高劲松孙世鹏王笑夷陈红王彤彤
关键词:复振幅
时域有限差分法在一维光子晶体数值模拟方面的研究被引量:1
2006年
介绍了时域有限差分法的基本原理,并对一维光子晶体薄膜中传播的电磁场作了模拟和分析。通过对光子晶体透射谱的研究,讨论了不同周期数和不同介电常数比对光子晶体带隙的影响,最后通过在周期介质层状结构中引入缺陷层构造了光子缺陷态。
宋琦高劲松王笑夷王彤彤陈红郑宣鸣申振峰凌伟
关键词:时域有限差分法光子晶体缺陷态
离子辅助制备碳化硅改性薄膜被引量:21
2008年
介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。
陈红高劲松宋琦王彤彤申振峰王笑夷郑宣鸣范镝
关键词:反应烧结碳化硅表面改性离子辅助沉积
用低压反应离子镀技术制备的类金刚石薄膜及其表征被引量:1
2011年
以Ar气作为工作气体,CH_4作为反应气体,利用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。通过拉曼光谱、Perking Elmer GX型红外光谱仪和Nano Indenter XP型纳米压痕硬度测试计分别表征了类金刚石薄膜的微观结构、光学性能和机械性能。结果表明,类金刚石薄膜(I_D/I_G=0.918)具有较高的sp^3键含量,其硬度值达到28.6GPa,弹性模量为199.5GPa;单层膜系在8~11.5μm波段的峰值透过率为63.6%,平均透过率为62%。
单兆会高劲松王彤彤申振峰陈红
关键词:类金刚石薄膜拉曼光谱显微硬度
ITO材料在减反射膜设计中的应用被引量:11
2005年
改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2~24.6Ω/□的试验结果.
徐颖高劲松王笑夷陈红王彤彤
关键词:方块电阻减反射膜
RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱被引量:3
2008年
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明:当x〉0.78时,成键为c-H键;当x为0.53~0.62时,成键为c-c键;当x〈0.47时,成键为Ge-C键。
王彤彤高劲松宋琦王笑夷陈红郑宣鸣申振峰
关键词:X射线光电子能谱离子辅助沉积
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