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郑宣鸣

作品数:15 被引量:80H指数:7
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学系统先进制造技术重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇理学
  • 10篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇改性
  • 11篇表面改性
  • 5篇碳化硅
  • 4篇反射镜
  • 4篇SIC
  • 2篇碳化硅反射镜
  • 2篇离子辅助沉积
  • 2篇光学
  • 2篇反应烧结碳化...
  • 2篇SI
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇信噪比
  • 1篇一维光子晶体
  • 1篇窄带
  • 1篇射频功率
  • 1篇时域有限
  • 1篇时域有限差分
  • 1篇时域有限差分...
  • 1篇数值模拟

机构

  • 15篇中国科学院长...
  • 5篇中国科学院研...

作者

  • 15篇王笑夷
  • 15篇高劲松
  • 15篇王彤彤
  • 15篇郑宣鸣
  • 15篇陈红
  • 12篇申振峰
  • 5篇宋琦
  • 5篇范镝
  • 1篇张忠玉
  • 1篇朱华新
  • 1篇巩盾

传媒

  • 6篇光学精密工程
  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇光学技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇光学仪器
  • 1篇中国光学与应...
  • 1篇2007年国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 6篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
宽截止窄带滤光片设计被引量:4
2010年
介绍了一种获得窄带宽截止滤光片的方法,即具有缺陷的多异质结结构,这种结构能够展宽光子晶体的禁带同时实现窄通带效应。通带的位置与缺陷的厚度及缺陷的位置有关,设计的窄带宽截止滤光片在光学领域中具有一定的应用前景。
朱华新高劲松王彤彤王笑夷陈红郑宣鸣申振锋
关键词:光学薄膜滤光片通带禁带
反应烧结碳化硅表面改性的初步研究被引量:4
2008年
应用电子束蒸发硅,霍尔离子源电离甲烷,并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅(RBSiC)基底上沉积了碳化硅(SiC:H)改性薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率,制备了硬度为9.781~13.087GPa,弹性模量为89.344~123.413GPa的碳化硅改性薄膜。比较同样条件下镀制银膜的抛光良好微晶玻璃和经过精细抛光的改性RBSiC,结果表明两者反射率相近;附着力实验表明,制备的薄膜和基底结合良好;在温度冲击实验下,制备的薄膜无龟裂和脱落。
王彤彤高劲松王笑夷陈红郑宣鸣范镝申振峰
关键词:碳化硅薄膜表面改性
离子辅助制备碳化硅改性薄膜被引量:21
2008年
介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。
陈红高劲松宋琦王彤彤申振峰王笑夷郑宣鸣范镝
关键词:反应烧结碳化硅表面改性离子辅助沉积
RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱被引量:3
2008年
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明:当x〉0.78时,成键为c-H键;当x为0.53~0.62时,成键为c-c键;当x〈0.47时,成键为Ge-C键。
王彤彤高劲松宋琦王笑夷陈红郑宣鸣申振峰
关键词:X射线光电子能谱离子辅助沉积
应用SiC反射镜表面改性技术提高TMC光学系统信噪比被引量:8
2009年
为了消除SiC反射镜的固有缺陷,提高反射式光学系统的信噪比,使用SiC表面改性技术对同轴三反射(TMC)光学系统的SiC反射镜进行了处理。首先,应用等离子体辅助沉积(PIAD)技术沉积了一层Si改性层,接着对改性层进行精密抛光,然后在反射镜表面镀制Ag膜和增强膜,最后获得了表面改性对TMC光学系统信噪比的影响。Wyko轮廓仪测试表明,SiC反射镜的粗糙度Ra由10.42nm降低到了0.95nm;镀制高反射膜后,主镜、次镜、三镜及折叠镜在0.5~0.8μm可见光波段的反射率>98%。计算结果表明,应用了表面改性技术后TMC反射式光学系统的信噪比提高了5%以上,说明SiC表面改性技术是一种提高TMC光学系统信噪比的有效方法。
陈红王彤彤高劲松巩盾王笑夷郑宣鸣申振峰张忠玉
关键词:表面改性信噪比
空间反射镜基底材料碳化硅表面改性研究被引量:16
2009年
直接抛光后的SiC反射镜表面光学散射仍较大,无法满足高质量空间光学系统的应用需求。为此必须对SiC反射镜进行表面改性,以获得高质量的光学表面。目前国际上较为流行的是制备Si或SiC改性层进行表面改性。分别采用离子辅助电子束蒸发方法制备Si和SiC改性层进行改性,相关测试结果表明:Si改性层结构为立方相,改性后基底表面粗糙度(rms)降到0.620 nm,散射系数减小到1.52%;SiC改性层结构为非晶相,改性后基底表面粗糙度(rms)降到0.743 nm,散射系数减小到2.79%。两种改性层均与基底结合牢固,温度稳定性较高。从可靠性方面考虑,目前在国内第一种方法更适于实际工程应用。该工艺改性后SiC基底表面散射损耗大大降低,表面质量得到明显改善,镀Λg后表面反射率接近于抛光良好的微晶玻璃的水平,已能够满足高质量空间光学系统的应用需要。
高劲松申振峰王笑夷王彤彤陈红郑宣鸣
关键词:表面改性SI薄膜SIC薄膜
SiC空间反射镜材料及其表面改性技术现状分析被引量:22
2009年
SiC材料具有良好的物理特性和机械特性,是制备大口径空间反射镜的主要候选材料之一,而SiC反射镜的制备、加工及其表面改性技术是推动高水平空间光学系统应用的重要条件。本文从实际工程应用的角度出发,分析了几种常用SiC基底反射镜材料的特性,介绍了4种SiC的制备工艺。研究了目前国内外SiC基底反射镜的应用现状及其表面改性情况,对改性层的性能指标、制备工艺和发展趋势进行了深入讨论。针对目前国内反射镜材料应用现状,认为加快高性能SiC基底材料研发工作步伐,并找到一种利用现有大口径PVD设备低温制备优质SiC改性层的方法是今后工程应用的发展方向。
高劲松申振峰王笑夷王彤彤陈红郑宣鸣
关键词:SIC表面改性
空间用SiC反射镜表面改性的性能和可靠性评估被引量:6
2009年
根据空间应用项目需求,采用等离子辅助电子束蒸发方法对RB-SiC基底进行了表面改性,并对表面改性的性能和可靠性进行了相关评估.经测试,改性后RB-SiC基底表面粗糙度(rms)降低到0.632 nm;散射系数降低到2.81%,500~1 000 nm范围的平均反射率提高到97.05%,已经接近于抛光良好的微晶玻璃的水平;改性涂层温度稳定性高,与基底结合牢固;加工后,面形精度达到0.119λ(PV)和0.014λ(rms),λ=632.8 nm.评估结果表明,这种SiC基底表面改性的工艺是可靠的,其光学性能满足空间高质量光学系统的要求,适宜空间环境应用.
申振峰高劲松陈红王笑夷王彤彤郑宣鸣
关键词:表面改性RBSIC可靠性
空间用碳化硅反射镜表面改性
应用于空间的反射镜基底材料碳化硅对表面粗糙度有很高的要求,反应烧结碳化硅作为最常用的碳化硅基底材料,因烧结过程中导致的孔洞,以及硅和碳化硅抛光速率的不同,难以获得良好的表面粗糙度.通过在反应烧结碳化硅基底上镀制一层厚膜,...
高劲松王彤彤宋琦王笑夷陈红郑宣鸣范镝
关键词:碳化硅表面改性
文献传递
射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响被引量:2
2012年
利用磁控溅射方法以CH4和Ar的混合放电气体溅射单晶Ge靶制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,通过XPS、Raman和Nanoindentation等表征手段系统地研究了射频功率和衬底温度对所获薄膜成分、键合结构及力学性质的影响。研究发现:射频功率和衬底温度的增加均能提高膜中的Ge含量,这分别归因于Ge溅射产额的增加以及含碳基团在衬底上脱附作用的增强。Ge含量的增加促进了sp2C-C键转变为sp3Ge-C键,进而显著提高了膜中sp3杂化碳原子的相对含量并改善了Ge1-xCx薄膜的硬度。这些结果表明:提高射频功率和衬底温度是制备富含sp3C的硬质碳化锗薄膜的有效途径。
王笑夷高劲松陈红王彤彤申振峰郑宣鸣
关键词:射频功率衬底温度
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