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李志琴

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇等离子体共振
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇离子
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇毫米级
  • 2篇衬底
  • 1篇电子束曝光技...
  • 1篇旋涂
  • 1篇透光率
  • 1篇透明电极
  • 1篇线宽
  • 1篇纳米光学
  • 1篇结构尺寸
  • 1篇金属
  • 1篇金属纳米
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀机
  • 1篇基片
  • 1篇光刻

机构

  • 4篇国家纳米科学...

作者

  • 4篇陈佩佩
  • 4篇董凤良
  • 4篇褚卫国
  • 4篇李志琴
  • 3篇闫兰琴
  • 3篇徐丽华
  • 1篇李志刚

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种纳米结构阵列及其制备方法和用途
本发明提供了一种纳米结构阵列及其制备方法和用途，所述纳米结构阵列的面积为100-250000μm<Sup>2</Sup>，所述纳米阵列的线宽为3-15nm；所述纳米结构阵列的制备方法包括：对衬底进行表面处理；采用电子束曝...
陈佩佩李志琴董凤良闫兰琴徐丽华褚卫国
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一种基于金属纳米网格的透明电极及其制备方法
本发明涉及一种基于金属纳米网格的透明电极的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)在硅衬底上旋涂光刻胶并烘烤；(2)曝光显影，在硅衬底上将光刻胶刻蚀出纳米网格图形；(3)在纳米网格图形的光刻胶上沉积金属层；(4)剥离除去光...
董凤良陈佩佩闫兰琴李志琴李志刚褚卫国
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一种纳米结构阵列及其制备方法和用途
本发明提供了一种纳米结构阵列及其制备方法和用途，所述纳米结构阵列的面积为100‑250000μm<Sup>2</Sup>，所述纳米阵列的线宽为3‑15nm；所述纳米结构阵列的制备方法包括：对衬底进行表面处理；采用电子束曝...
陈佩佩李志琴董凤良闫兰琴徐丽华褚卫国
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一种硅刻蚀方法
本发明提供一种硅刻蚀方法，所述方法包括以下步骤：(1)在硅基片上制作刻蚀掩膜图形；(2)将制作好所述刻蚀掩膜图形的硅基片放置在刻蚀机中进行刻蚀；所述刻蚀机的下电极功率由100～1000Hz的脉冲电源产生，所述刻蚀机的载片...
徐丽华李志琴董凤良陈佩佩褚卫国
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