2024年8月22日
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闫兰琴
作品数:
47
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供职机构:
国家纳米科学中心
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相关领域:
一般工业技术
文化科学
理学
自动化与计算机技术
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合作作者
褚卫国
国家纳米科学中心
徐丽华
国家纳米科学中心
宋志伟
国家纳米科学中心
董凤良
国家纳米科学中心
陈佩佩
国家纳米科学中心
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机构
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国家纳米科学...
作者
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褚卫国
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闫兰琴
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徐丽华
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董凤良
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2018
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2016
9篇
2015
2篇
2014
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一种氟化碳膜及其制备方法和用途
本发明提供了一种氟化碳膜(CF<Sub>x</Sub>)及其制备方法和用途,所述氟化碳膜(CF<Sub>x</Sub>)的制备方法为:将惰性衬底置于ICP刻蚀系统中,以分子式中含有氟原子和碳原子的气体为工作气体对衬底表面...
闫兰琴
褚卫国
徐丽华
张先锋
文献传递
一种低温制备非晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途
本发明涉及一种低温制备非晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途。所述低温制备非晶硅膜材料的方法包括:采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备非晶硅膜材料,气相沉积的温度≤100℃,所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备的功...
宋志伟
褚卫国
徐丽华
闫兰琴
文献传递
一种表面增强拉曼衬底的制备方法
本发明涉及纳米材料技术领域,涉及一种金属/介电材料复合的纳米阵列结构及其制作方法,特别涉及一种表面增强拉曼衬底及其制备方法,所述拉曼衬底是由金属和介电材料组成的纳米阵列结构,所述纳米阵列结构的线宽为10‑25nm。本发明...
陈佩佩
褚卫国
田毅
闫兰琴
文献传递
一种精度为亚十纳米的电子束曝光和定位方法
本发明涉及纳米加工技术领域,具体涉及一种精度为亚十纳米的电子束曝光和定位方法,包括:S1:设计用于约束电子束的曝光图形;S2:在基底材料上旋涂电子束抗蚀剂,选取合适的电子束曝光步长和剂量,经过电子束曝光、显影和定影得到具...
胡海峰
褚卫国
陈佩佩
董凤良
闫兰琴
一种利用光刻胶以及低温等离子刻蚀制备黑硅的方法
本发明涉及一种利用光刻胶以及低温等离子体刻蚀制备黑硅的方法,包括以下步骤:在硅片表面涂覆光刻胶,曝光,烘烤固化,进行低温等离子体刻蚀,从而在硅片表面形成密排的纳米锥状的陷光结构。本发明提供的方法能够在硅片上形成具有很强吸...
徐丽华
闫兰琴
褚卫国
文献传递
一种纳米结构阵列及其制备方法和用途
本发明提供了一种纳米结构阵列及其制备方法和用途,所述纳米结构阵列的面积为100-250000μm<Sup>2</Sup>,所述纳米阵列的线宽为3-15nm;所述纳米结构阵列的制备方法包括:对衬底进行表面处理;采用电子束曝...
陈佩佩
李志琴
董凤良
闫兰琴
徐丽华
褚卫国
文献传递
一种透明超疏水薄膜、其制备方法及用途
本发明涉及一种透明超疏水薄膜、其制备方法及用途。本发明的透明超疏水薄膜兼具超薄、超透明和极好的超疏水性,厚度在60‑150nm,透光率在90‑97%,与水的接触角大于167°。本发明采用将射频磁控溅射与退火相结合的方法在...
闫兰琴
褚卫国
徐丽华
宋志伟
文献传递
一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅
本发明涉及一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅,所述方法包括:1)采用等离子体处理方法,对硅片进行表面处理,在硅片表面形成点状非连续SiO<Sub>x</Sub>掩膜,处理时间决定黑硅锥状结构的密度;2...
徐丽华
褚卫国
陈佩佩
闫兰琴
文献传递
一种基于金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法
本发明涉及一种基于金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法。所述方法包括以下步骤:(1)在基底上镀一层金属薄膜层并干燥处理;(2)在所述金属薄膜层上旋涂电子束正性光刻胶层并干燥处理;(3)在所述光刻胶层上通过电子束直写曝光并...
董凤良
徐丽华
苗霈
宋志伟
闫兰琴
褚卫国
文献传递
一种金属和介质复合的纳米图案化基底及其制备方法与应用
本发明提供了一种金属和介质复合的纳米图案化基底及其制备方法与应用,所述纳米图案化基底包括衬底、周期性的三维介质纳米结构和金属纳米颗粒;所述三维介质纳米结构设置于衬底上;所述金属纳米颗粒限域在三维介质纳米结构中;所述纳米图...
陈佩佩
褚卫国
田毅
胡海峰
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